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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 功率器件

新潔能SiC/GaN功率器件及封測研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目延期

  • 8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項目的工程建設(shè)、設(shè)備采購及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無法在計劃時間內(nèi)完成。據(jù)悉，此次延期項目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項目，項目總投資約2.23億元，2022年開建，原計劃2024年建設(shè)完成。項目建成后，將實現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬只。新潔能稱，本次募投項目延期僅涉及項目進(jìn)度的
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TrendForce：預(yù)計 2030 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模 43.76 億美元，復(fù)合年均增長率達(dá) 49%

  • IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對 GaN（氮化鎵）技術(shù)傾注更多資源，功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場規(guī)模約 2.71 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當(dāng)前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復(fù)合年均增長率）達(dá) 49%。據(jù)介紹，消費電子是功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
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英飛凌馬來西亞居林第三廠區(qū)啟用，未來將成世界最大碳化硅功率半導(dǎo)體晶圓廠

  • IT之家 8 月 8 日消息，英飛凌今日宣布，其位于馬來西亞的居林第三廠區(qū)（Kulim 3）一期正式啟用。該階段聚焦碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)，也將關(guān)注氮化鎵（GaN）外圍晶圓。▲ 英飛凌居林第三廠區(qū)英飛凌在 2022 年宣布了 Kulim 3 的一期建設(shè)計劃，投資額達(dá) 20 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 143.43 億元人民幣），可創(chuàng)造 900 個高價值工作崗位。英飛凌此后又在 2023 年 8 月宣布了價值 50 億美元（當(dāng)前約 358.57 億元人民幣）的 Kulim 3 二期計劃
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功率器件模塊：一種滿足 EMI 規(guī)范的捷徑

  • 由于功率模塊的設(shè)計和幾何形狀可以實現(xiàn) EMI 建模，從而使設(shè)計人員能夠在設(shè)計流程的早期預(yù)測和了解其系統(tǒng)中的 EMI 反應(yīng)。相鄰或共用導(dǎo)電回路的電子器件容易受到電磁干擾 (EMI) 的影響，使其工作過程受到干擾。要確保各電氣系統(tǒng)在同一環(huán)境中不干擾彼此的正常運行，就必須最大限度地減少輻射。通常，由于硅 (Si) IGBT 和碳化硅 (SiC) MOSFET 等功率半導(dǎo)體器件在工作期間需要進(jìn)行快速開關(guān)，因此通常會產(chǎn)生傳導(dǎo)型 EMI。在開關(guān)狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程中，器件兩端的電壓和流經(jīng)器件的電流會迅速改變狀態(tài)。開、關(guān)狀態(tài)間
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SiC 功率器件中的溝槽結(jié)構(gòu)測量

  • 汽車和清潔能源領(lǐng)域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應(yīng)更高的電壓，擁有更快的開關(guān)速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結(jié)構(gòu)的 SiC 功率器件可以實現(xiàn)這一點。但是，雖然基于溝槽的架構(gòu)可以降低導(dǎo)通電阻并提高載流子遷移率，但它們也帶來了更高的復(fù)雜性。對于 SiC 功率器件制造商來說，準(zhǔn)確測量外延層生長和這些溝槽中注入層深度的能力是相當(dāng)重要的，特別是在面臨不斷增加的制造復(fù)雜性時。今天我們分享一下來自O(shè)nto Innovation 應(yīng)用開發(fā)總監(jiān)Nick Keller的文章，來重點介紹下SiC 功率器
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如何增強 SiC 功率器件的性能與可靠性？垂直整合是關(guān)鍵！

  • 電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導(dǎo)體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強勁。事實上，至少在本世紀(jì)下半葉之前，SiC功率器件可能會供不應(yīng)求。而隨著 SiC 襯底應(yīng)用于 SiC 功率器件，襯底質(zhì)量和制造技術(shù)方面取得了哪些進(jìn)步，以提高器件性能、減少缺陷并增強可靠性？為了優(yōu)化未來 SiC 功率器件的襯底特性，還需要哪些改進(jìn)和發(fā)展？SiC的可靠性挑戰(zhàn)SiC 是硅和碳的化合物，與硅相比有許多優(yōu)點。SiC 芯片可以在更高溫度下運行，并能有效處理更高電壓，從而增強電動汽車的功率密度
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2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達(dá)91.7億美元

  • TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應(yīng)鏈，但作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數(shù)據(jù)，其中Tesla在1
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功率器件市場為什么這么火爆？

  • 電動汽車、可再生能源和云計算等應(yīng)用正在推動提高效率和功率密度的需求。
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中國芯片自給率鎖定新目標(biāo)

  • 經(jīng)過了 2023 年的低迷，全球半導(dǎo)體業(yè)將希望寄托在 2024 年。從 2023 年第四季度開始，無論是智能手機(jī)，還是 PC 市場，都出現(xiàn)了回暖信號，供應(yīng)鏈上相關(guān)廠商的訂單開始多起來，而且，各大市場調(diào)研機(jī)構(gòu)也都預(yù)測 2024 年將是新一個半導(dǎo)體周期的開始，整個電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入上行周期。對于正處在各種挑戰(zhàn)與困難之中的中國電子半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，2024 年有望迎來更上一層樓的契機(jī)。一輪一輪的貿(mào)易限制政策，芯片企業(yè)投資（特別是 IC 設(shè)計企業(yè)）虛熱冷卻，本土新建晶圓廠陸續(xù)完成并開始量產(chǎn)，進(jìn)口和本土芯片博弈后的
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工業(yè)電源模塊對功率器件的要求

  • 工業(yè)電源的作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電，在工業(yè)領(lǐng)域為設(shè)備提供穩(wěn)定的電力供應(yīng)，在工業(yè)自動化、通訊、醫(yī)療、數(shù)據(jù)中心、新能源儲能等領(lǐng)域廣泛使用。與普通的電源相比，工業(yè)電源應(yīng)用環(huán)境苛刻復(fù)雜，對電源的穩(wěn)定性要求更高，需滿足一些特殊要求，如低功耗、高功率密度、高可靠性和高耐用性，同時，它對EMI和穩(wěn)定性的要求也比其它應(yīng)用更為嚴(yán)格。按在電能轉(zhuǎn)換過程中的位置做分類，電源可分為一次電源和二次電源。模塊電源屬于二次電源，是采用優(yōu)化的電路和結(jié)構(gòu)設(shè)計，利用先進(jìn)的工藝和封裝技術(shù)制造， 形成的一個結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、高可靠的電子穩(wěn)壓電源
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SiC仿真攻略手冊——詳解物理和可擴(kuò)展仿真模型功能！

  • 過去，仿真的基礎(chǔ)是行為和具有基本結(jié)構(gòu)的模型。這些模型使用的公式我們在學(xué)校都學(xué)過，它們主要適用于簡單集成電路技術(shù)中使用的器件。但是，當(dāng)涉及到功率器件時，這些簡單的模型通常無法預(yù)測與為優(yōu)化器件所做的改變相關(guān)的現(xiàn)象。當(dāng)今大多數(shù)功率器件不是橫向結(jié)構(gòu)，而是垂直結(jié)構(gòu)，它們使用多個摻雜層來處理大電場。柵極從平面型變?yōu)闇喜坌?，引入了更?fù)雜的結(jié)構(gòu)，如超級結(jié)，并極大地改變了MOSFET的行為?；維pice模型中提供的簡單器件結(jié)構(gòu)沒有考慮所有這些非線性因素?，F(xiàn)在，通過引入物理和可擴(kuò)展建模技術(shù)，安森美(onsemi)使仿真精度
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總投資15億元，漢軒車規(guī)級功率器件制造項目開工建設(shè)

  • 據(jù)“徐州高新發(fā)布”公眾號消息，12月18日，徐州高新區(qū)漢軒車規(guī)級功率器件制造項目開工建設(shè)。據(jù)悉，漢軒車規(guī)級功率器件制造項目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬平米，潔凈室面積1.4萬平米，滿足6到8英寸晶圓生產(chǎn)需求，是一座專注于車規(guī)級功率器件的晶圓代工廠。項目規(guī)劃VDMOS、SBD、FRD、SGT、IGBT、SIC MOS等多個工藝代工平臺，規(guī)劃月產(chǎn)能超過6萬片，年銷售收入約13.8億元。項目建成后將進(jìn)一步完善高新區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈布局，有力推動車規(guī)級功率器件國產(chǎn)化進(jìn)程。
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SmartFET的熱響應(yīng)，一文輕松get√

  • 本系列文章將介紹安森美(onsemi)高邊SmartFET的結(jié)構(gòu)和設(shè)計理念，可作為了解該器件在特定應(yīng)用中如何工作的指南。范圍僅限于具有模擬電流檢測輸出的SmartFET。今天將為大家介紹SmartFET的熱響應(yīng)，將簡要解讀產(chǎn)品數(shù)據(jù)表中公布的熱數(shù)據(jù)和曲線。了解熱網(wǎng)絡(luò)對于外部條件可能出現(xiàn)極端變化的汽車應(yīng)用而言，了解并準(zhǔn)確估計器件的熱響應(yīng)是一個長期存在的挑戰(zhàn)。以瞬態(tài)或連續(xù)溫度波動形式表現(xiàn)的超過器件熱容量的熱過應(yīng)力，是該領(lǐng)域中最常遇到的故障模式之一，尤其是功率器件，在其壽命期間經(jīng)常觀察到這種瞬態(tài)。此外，隨著硅特征
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一文看懂｜半導(dǎo)體功率器件的組成和應(yīng)用

  • 常見的幾種功率半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。電力電子器件又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件。1、MCT? MOS控制晶閘管MCT是一種新型MOS與雙極復(fù)合型器件。MCT是將MOSFET的高阻抗、低驅(qū)動下MCT的功率、快開關(guān)速度的特性與晶閘管的高壓、大電流特型結(jié)合在一起，形成大功率、高壓、快速全
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比亞迪半導(dǎo)體功率器和傳感控制器項目一期竣工

  • 11月30日消息，日前，比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目一期竣工。據(jù)了解，位于馬山街道的比亞迪半導(dǎo)體項目總投資100億元，用地417畝。項目建設(shè)年產(chǎn)72萬片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線，達(dá)產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值150億元。順應(yīng)新能源汽車行業(yè)發(fā)展需求，一期項目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件，均為新能源汽車核心器件。據(jù)相關(guān)人員介紹，比亞迪半導(dǎo)體項目預(yù)計42個月全部竣工。
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功率器件介紹

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