歐盟對抗功率難題納米級芯片欲破瓶頸
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該協(xié)會的主要成員STMicroelectronics在當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二(北京時(shí)間周三)發(fā)布的一份聲明中稱,該協(xié)會的研發(fā)項(xiàng)目旨在改進(jìn)下一代芯片系統(tǒng)半導(dǎo)體的設(shè)計(jì),解決65納米及其以下納米CMOS出現(xiàn)功率泄漏的問題。
據(jù)悉,該項(xiàng)稱為CLEAN的計(jì)劃將得到歐盟第六次框架項(xiàng)目下納米電子計(jì)劃的資助。功率泄漏時(shí)發(fā)生在65納米以下技術(shù)中納米電路的一個(gè)障礙,STMicroelectronics稱半導(dǎo)體設(shè)計(jì)工藝和加工方面的新問題需要共同努力加以解決。
CLEAN的主要目標(biāo)在于研發(fā)新一代功率泄漏模式,設(shè)計(jì)工藝和泄漏控制技術(shù)及電子設(shè)計(jì)自動(dòng)(EDA)工具,該工具能自動(dòng)完成設(shè)計(jì)的部分工作,而以目前的技術(shù)是難以實(shí)現(xiàn)的。
該研發(fā)協(xié)會包括14個(gè)合作成員,其中包括英飛凌、ChipVision Design Systems、丹麥理工大學(xué)、布達(dá)佩斯技術(shù)與經(jīng)濟(jì)大學(xué)等。
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