三星將加大40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)能

　　頂級內(nèi)存/閃存芯片廠商三星公司近日宣布由于Intel至強5600系列新處理器的出爐，刺激服務器廠商對DDR3內(nèi)存的需求量大增，因此公司將增加 40nm制程DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)能。三星表示其40nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的耗電量將比60nm制程產(chǎn)品低40%左右，目前其40nm制程 DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的型號主要有1Gb/2Gb/4Gb幾種，可用于制作1GB/2GB/4GB/8GB/16GB以及32GB registed內(nèi)存條。

　　三星半導體公司的副總裁Jim Elliott表示：“當與至強5600系列處理器以及5500/5700平臺配合使用時，DDR3內(nèi)存能顯著改善系統(tǒng)的內(nèi)存數(shù)據(jù)傳輸效率，同時功耗水平也大有下降，非常適合各類企業(yè)服務器應用。而我們的低功耗DDR3內(nèi)存解決方案則將在新一代綠色服務器設(shè)計中扮演至關(guān)重要的角色。”

　　三星自從2009年春季便已經(jīng)開始了40nm制程DDR3內(nèi)存芯片的生產(chǎn)。