Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK® 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/108647.htm新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負載和電池開關(guān)。適配器開關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗，節(jié)省能源，延長兩次充電之間的電池壽命，同時還可以減少發(fā)熱，減小PCB焊盤的面積。對于工業(yè)/通用系統(tǒng)中的電壓達24V的負載切換和熱插拔應(yīng)用，該MOSFET的低導(dǎo)通電阻還可以減小電壓降。
Si7625DN在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻低至7mΩ和11mΩ，這些數(shù)值比此前3.3mmx3.3mm占位面積的30V器件在10和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別低30%和39%。
新款MOSFET采用了Vishay此前發(fā)布的30V P溝道第三代TrenchFET Si7145DP所采用的PowerPAK SO-8封裝。為滿足工業(yè)應(yīng)用的要求，第三代TrenchFET封裝讓設(shè)計者可在具有最大漏電流和功率耗散的PowerPAK SO-8(分別比SO-8高85%和79%)或節(jié)省空間的PowerPAK 1212-8之間進行選擇。由于占位只有3.3mmx3.3mm，該器件的占位面積只有PowerPAK SO-8或SO-8型封裝的1/3。
MOSFET進行了完備的Rg和UIS測試，符合ROHS指令2002/95/EC，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范。
新款Si7625DN TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品，將于2010年第二季度實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周。
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