三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作

　　閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制訂工作，這種新一代閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達(dá)400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時(shí)候會(huì)完成該標(biāo)準(zhǔn)規(guī) 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲(chǔ)密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動(dòng)和消費(fèi)級(jí)電子類應(yīng)用。

　　現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用，接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s;而DDR2.0規(guī)范則會(huì)將接口數(shù)據(jù)傳輸率提升到400Mbit/s的水平，而眼下市面上常見的NAND芯片采用的多為SDR NAND接口規(guī)范，其數(shù)據(jù)傳輸率僅40Mbit/s。

　　上個(gè)月，兩家公司便已經(jīng)參與到了由JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)牽頭的DDR2.0 NAND接口標(biāo)準(zhǔn)化工作中去。