Panasonic 電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

　　“PhotoMOS”的特點(diǎn):

　　“PhotoMOS”兼具了EMR(有觸點(diǎn)的機(jī)械繼電器)以及SSD(可控硅輸出光電耦合器)兩者的功能，具有以下特點(diǎn)。

• 　　可對(duì)微小的模擬信號(hào)進(jìn)行控制(參照?qǐng)D4)

　　晶閘管或光電耦合器及一般的SSD，不能控制數(shù)百mV以下的信號(hào)，但PhotoMOS閉路時(shí)的偏置電壓極低，因此，即使是對(duì)微小電壓信號(hào)或模擬信號(hào)也可進(jìn)行不變形的控制。

• 　　電路構(gòu)成簡(jiǎn)單，因此可實(shí)現(xiàn)電路板的小型化以及設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)便化

　　可將發(fā)光元件、光電元件、功率MOSFET集中到一個(gè)封裝中，而且MOSFET的電路門(mén)極也在封裝中，因此具有較強(qiáng)的抗干擾或抗靜電能力。此外，內(nèi)置具有自身發(fā)電功能的光電元件，所以不需要外部電源來(lái)驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。

• 　　可實(shí)現(xiàn)小輸入信號(hào)控制大負(fù)載(參照表1)

　　與光電耦合器相比，因增幅率較大，所以可實(shí)現(xiàn)EMR所不具備的高靈敏度。

• 　　開(kāi)路時(shí)的漏電流極(參照?qǐng)D5)

　　一般的SSD開(kāi)路時(shí)的漏電電流大到數(shù)mA，但PhotoMOS即使施加負(fù)載電壓400V時(shí)，其漏出電流也僅有1μA以下。