通富微電與富士通合建研發(fā)中心

　　通富微電今日公告，為深化與富士通半導(dǎo)體株式會(huì)社的合作，促進(jìn)雙方的科技創(chuàng)新和進(jìn)步，擬在合作、平等、共贏的基礎(chǔ)上建立合作研發(fā)平臺(tái)，利用半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的機(jī)遇加快先進(jìn)封裝技術(shù)成果的轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化。2010年8月30日，雙方簽署了《合作設(shè)立研發(fā)中心意向書》。

　　資料顯示，富士通半導(dǎo)體與通富微電第二大股東富士通中國同為富士通株式會(huì)社的全資子公司，同受富士通株式會(huì)社控制，為公司關(guān)聯(lián)方。

　　據(jù)公告，研發(fā)中心設(shè)在通富微電，研發(fā)中心設(shè)主任一名，副主任兩名。主任由通富微電董事長(zhǎng)石明達(dá)擔(dān)任，副主任分別由雙方各推薦一名擔(dān)任。富士通半導(dǎo)體委派3-4 名研發(fā)人員在研發(fā)中心工作。富士通半導(dǎo)體委派人員的薪資待遇參照現(xiàn)行委派人員執(zhí)行。

　　同時(shí)，雙方共同協(xié)商制定研發(fā)中心的研發(fā)戰(zhàn)略、方向及項(xiàng)目。在今后1-2 年內(nèi)，研發(fā)的重點(diǎn)是Fan-Out WLP、Low Cost FCBGA等技術(shù)。研發(fā)過程中形成的專利技術(shù)根據(jù)貢獻(xiàn)度確定專利所有，雙方均可使用該項(xiàng)專利技術(shù)。

　　對(duì)于此次合作，公司表示，研發(fā)中心的設(shè)立，將加大研發(fā)新型封裝產(chǎn)品和技術(shù)的力度，有利于公司綜合技術(shù)水平的提升，有利于加快先進(jìn)封裝技術(shù)成果的轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)化。同時(shí)，對(duì)公司優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品技術(shù)處于行業(yè)領(lǐng)先地位的目標(biāo)也會(huì)產(chǎn)生實(shí)質(zhì)性的積極作用。