2013 年前使用憶阻器的記憶裝置將上市

　　HP 關(guān)于憶阻器的發(fā)現(xiàn)在 2008 年時發(fā)表于「自然」期刊，2009 年證明了 Cross Latch 的系統(tǒng)很容易就能堆棧，形成立體的內(nèi)存。目前的技術(shù)每個電線間的「開關(guān)」大約是 3nm x 3nm 大，開關(guān)切換的時間約在 1ns 左右，整體的運作速度約是 DRAM 的 1/10 -- 還不足以取代 DRAM，但是靠著 1 cm? 100 gigabit， 1cm? 1 petabit(別忘了它是可以堆棧的)的驚人潛在容量，干掉閃存是綽綽有余的。

　　但是 Crossbar Latch 可不止用來儲存數(shù)據(jù)而已。它的網(wǎng)格狀設(shè)計，和每個交叉點間都有開關(guān)，意味著整組網(wǎng)格在某些程度上是可以邏輯化的。在原始的 Crossbar Latch 論文中就已經(jīng)提到了如何用網(wǎng)格來模擬 AND、OR 和 NOT 三大邏輯閘，幾個網(wǎng)格的組合甚至可以做出加法之類的運算。這為擺脫晶體管進(jìn)到下一個世代開了一扇窗，很多人認(rèn)為憶阻器電腦相對于晶體管的躍進(jìn)，和晶體管相對于真空管的躍進(jìn)是一樣大的。另一方面，也有人在討論電路自已實時調(diào)整自已的狀態(tài)來符合運算需求的可能性。這點，再搭配上憶阻器的記憶能力，代表著運算電路和記憶電路將可同時共存，而且隨需要調(diào)整。這已經(jīng)完全超出了這一代電腦的設(shè)計邏輯，可以朝這條路發(fā)展下去的話，或許代表著新一代的智慧機(jī)器人的誕生。

　　不過這些都是未來的事了。HP 的目標(biāo)訂的還算含蓄，只答應(yīng)在 2013 年時，生產(chǎn)出與當(dāng)世代的 Flash 同等價格，但兩倍容量的憶阻器記憶裝置。對大部份人來說，這個轉(zhuǎn)變會是相當(dāng)?shù)驼{(diào)的 -- 就像芯片制程已經(jīng)一步步地降到了 24nm，但是對一般人來說，CPU 或是內(nèi)存、隨身碟一直都長那個樣子，沒有在變。只是在里面，憶阻器和 Crossbar Latch 的組合代表的是電腦科技的全新進(jìn)展，或許能讓我們再一次延續(xù)摩爾定律的生命，朝向被機(jī)器人統(tǒng)治的未來前進(jìn)。