三星、SK Hynix大幅縮減芯片投資 內(nèi)存不降價了？

　　內(nèi)存及閃存的降價還沒到底，由于廠商產(chǎn)能擴(kuò)大，競爭加劇，此前分析稱內(nèi)存/閃存價格今年下半年還會繼續(xù)降，內(nèi)存甚至可能大降40%。但是消費者滿心希望降價，廠商可撐不住了，兩大主力廠商三星、SK Hynix今年都會大幅削減資本支出，放緩產(chǎn)能提升腳步。

　　據(jù)韓國媒體報道，加拿大皇家銀行RBC高級分析師Amit Daryanani本周一發(fā)表分析報告，預(yù)測2016年全球存儲芯片資本支出額為502億美元，比上一年減少4%?？雌饋碜儎硬欢啵?a class="contentlabel" href="http://m.butianyuan.cn/news/listbylabel/label/三星">三星一家就減少了40億美元的支出，同比下降了31%。

　　三星是DRAM廠商中工藝最先進(jìn)的，前不久宣布率先量產(chǎn)18nm工藝DRAM芯片，而目前的產(chǎn)能有70%都已經(jīng)升級到20nm工藝節(jié)點，但這也意味著三星不會大規(guī)模投資產(chǎn)能建設(shè)了，內(nèi)存領(lǐng)域的資本支出將減少26億美元。

　　閃存方面同樣如此，三星數(shù)年前在中國西安投資70億美元建設(shè)3D NAND閃存工廠，去年底該工廠已經(jīng)開始規(guī)模量產(chǎn)第三代V-NAND閃存了，隨著工廠進(jìn)入全功能運營階段，三星在NAND領(lǐng)域的投資也將下降到10億美元。

　　另一家韓國公司SK Hynix同樣也會削減資本投資，預(yù)計今年會減少6萬億韓元。分析師稱SK Hynix正在為升級20nm DRAM芯片產(chǎn)能投資，但在3D NAND領(lǐng)域進(jìn)行重點投資的可能不大，他們的產(chǎn)能ASP平均售價及技術(shù)面臨挑戰(zhàn)。

　　三星、SK Hynix放緩存儲芯片投資跟營收表現(xiàn)息息相關(guān)，預(yù)計今年Q1季度的財報中雙方都會披露新的投資計劃。分析師稱宏觀經(jīng)濟(jì)壓力導(dǎo)致了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下降，進(jìn)而抑制了資本支出。廠商們的運營利潤下降速度歷史性地超過了營收下降速度。

　　SK Hynix預(yù)計Q1季度的運營利潤只有5000億韓元，去年同期還有1.58萬億韓元。三星日子也沒好到哪里去，去年Q1季度運營利潤是2.93萬億韓元，今年Q1季度降到了2.6萬億韓元。此外，三星存儲芯片之外還可以依賴處理器芯片彌補部門法損失，而SK Hynix主要的營收都是來自DRAM及NAND存儲芯片，情況比三星更糟。