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IR新型芯片組降壓轉(zhuǎn)換效率提升2%

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作者: 時(shí)間:2006-02-13 來源: 收藏

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/11278.htm

世界功率管理技術(shù)領(lǐng)袖國際整流器公司(International Rectifier,簡稱)近日推出兩款新型30V HEXFET®功率 MOSFET,可將30V/45A兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器MOSFET解決方案的輕負(fù)載提升2%,用來驅(qū)動(dòng)筆記本電腦及其他高性能計(jì)算應(yīng)用中的Intel和AMD最新型處理器。

這兩款新型無鉛器件分別是F7823PbF和F7832ZPbF,通過優(yōu)化傳導(dǎo)、開關(guān)和體二極管損耗,可實(shí)現(xiàn)最佳的和功率密度。兩款器件可用作每相需要一個(gè)控制和2個(gè)同步MOSFET的兩相同步降壓轉(zhuǎn)換器電路。這組新型SO-8 MOSFET 還適用于其他采用PWM控制的DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴(yán)國富表示:“中低功率水平下,高對(duì)筆記本電腦非常重要,因?yàn)樗鼈兪亲钪髁鞯碾姵仳?qū)動(dòng)產(chǎn)品。我們的全新可以針對(duì)這方面的需要,在5-15A的范圍內(nèi)將效率提升2%。新器件還可以降低功率損耗,從而降低系統(tǒng)的工作溫度,這一點(diǎn)對(duì)便攜式計(jì)算也相當(dāng)重要?!?

新的包含一個(gè)控制MOSFET和一個(gè)同步MOSFET,每個(gè)器件都經(jīng)過專門設(shè)計(jì),以發(fā)揮其最大效能??刂芃OSFET具有更低的開關(guān)損耗(柵電荷),同步MOSFET則具有低傳導(dǎo)損耗(低導(dǎo)通電阻)及低逆向恢復(fù)電荷。

IRF7823PbF是一款經(jīng)過優(yōu)化的控制場效應(yīng)管(FET),柵電荷(Qg)和柵-漏極電荷(Qgd)都非常低,分別只有9.1nC和3.2nC。

 

IRF7832ZPbF對(duì)同步FET功能進(jìn)行了優(yōu)化,4.5V下的典型導(dǎo)通電阻極低,只有3.7mΩ,適用于高達(dá)12A的應(yīng)用環(huán)境。IRF7823PbF和IRF7832ZPbF現(xiàn)在均已供貨。以1萬片訂貨量計(jì)算,IRF7823PbF每片0.5美元,IRF7832ZPbF為0.88美元,價(jià)格會(huì)有所變動(dòng)。



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