Zetex 高電壓MOSFET導(dǎo)通電阻最大僅150mΩ
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Zetex亞洲副總裁林博文指出,新MOSFET采用獨(dú)特四腳型SOT223封裝,能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導(dǎo)線架設(shè)計(jì),只需從兩個(gè)慣用的漏極接腳位置中切斷其一,便可大大擴(kuò)展接腳之間的空間,有助設(shè)計(jì)人員符合UL及CE爬電距離規(guī)格。
這款新型晶體管的導(dǎo)通電阻很低,最大僅150mΩ,且可支持高至140mA的連續(xù)漏極電流和600mA的脈沖電流,體現(xiàn)高效率的功率處理效能。此外,器件的切換速度十分高,激活及上升時(shí)間設(shè)定為七毫微秒。
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