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英飛凌OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET ，助力汽車控制器應(yīng)用

  • OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON，或者說(shuō)在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。如下圖所示，英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻的演進(jìn)。英飛凌40V MOSFET比導(dǎo)通電阻代際演進(jìn)英飛凌OptiMOS? 7 技術(shù)是英飛凌開(kāi)發(fā)的第五代溝槽技術(shù)，是當(dāng)今領(lǐng)先的雙多晶硅溝槽技術(shù)。無(wú)引腳封裝結(jié)合銅夾技術(shù)的使用，大幅提高了產(chǎn)品的電流能
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新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開(kāi)關(guān)效率

  • 英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無(wú)鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號(hào)的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對(duì)各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來(lái)的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向、制動(dòng)系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開(kāi)關(guān)、電池管理、電子保險(xiǎn)絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動(dòng)器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動(dòng)汽車（LEV）、電動(dòng)二輪車、電動(dòng)踏板車、電動(dòng)摩
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英飛凌為汽車應(yīng)用推出業(yè)內(nèi)導(dǎo)通電阻最低的80 V MOSFET OptiMOS? 7

  • 英飛凌科技股份公司近日推出其最新先進(jìn)功率MOSFET?技術(shù)——?OptiMOS? 7 80 V的首款產(chǎn)品IAUCN08S7N013。該產(chǎn)品的特點(diǎn)包括功率密度顯著提高，和采用通用且穩(wěn)健的高電流SSO8 5 x 6 mm2 SMD封裝。這款OptiMOS? 7 80 V產(chǎn)品非常適合即將推出的?48 V板網(wǎng)應(yīng)用。它專為滿足高要求汽車應(yīng)用所需的高性能、高質(zhì)量和穩(wěn)健性而打造，包括電動(dòng)汽車的汽車直流-直流轉(zhuǎn)換器、48 V電機(jī)控制（例如電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)（EPS））、48 V電池開(kāi)關(guān)以及電動(dòng)
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英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹(shù)立行業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)

  • 英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車、微型電動(dòng)汽車和電動(dòng)叉車等應(yīng)用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
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英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET

  • 英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車、微型電動(dòng)汽車和電動(dòng)叉車等應(yīng)用提供出色的性能。新MOSFET產(chǎn)品的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲(chǔ)能系統(tǒng)（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應(yīng)用。此外，憑借寬安全工作區(qū)（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統(tǒng)等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)
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英飛凌推出采用TOLx封裝的全新車用60V和120V OptiMOS 5,適用24 V-72V供電的大功率ECU

  • 交通系統(tǒng)的電氣化進(jìn)程正在不斷加快。除了乘用車外，兩輪車、三輪車和輕型汽車也越來(lái)越多實(shí)現(xiàn)了電氣化。因此，由24V-72V電壓驅(qū)動(dòng)的車用電子控制單元（ECU）市場(chǎng)預(yù)計(jì)將在未來(lái)幾年持續(xù)增長(zhǎng)。英飛凌科技股份公司針對(duì)這一發(fā)展趨勢(shì)，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封裝的新半導(dǎo)體產(chǎn)品，進(jìn)一步補(bǔ)充其OptiMOS? 5 系列60V至120V 車用MOSFET 產(chǎn)品組合。這些產(chǎn)品能以小巧外形提供出色的熱性能與卓越的開(kāi)關(guān)性能。六款新產(chǎn)品具有較窄的柵極閾值電壓（V GS(th)），支持并聯(lián) MOSFET設(shè)計(jì)，以增加輸
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英飛凌推出OptiMOS?功率MOSFET，擴(kuò)大采用PQFN 2mmx2mm封裝的產(chǎn)品陣容

  • 【2023年8月3日，德國(guó)慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣泛適用于各種應(yīng)用，如服務(wù)器、通信
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英飛凌推出面向汽車的OptiMOS? 7 40V MOSFET

  • 【2023 年 5 月 12 日，德國(guó)慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE 代碼：IFX / OTCQX 代碼：IFNNY）推出 OptiMOS? 7 40V MOSFET 系列。作為英飛凌最新一代面向汽車應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無(wú)引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有顯著的性能優(yōu)勢(shì)。這使得全新 MOSFET 成為所有的標(biāo)準(zhǔn)和未來(lái)車用 40V MOSFET 應(yīng)用的理想選擇，如電動(dòng)助力
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英飛凌推出完全集成的新一代OptiMOS? POL DC-DC穩(wěn)壓器

  • 【2022 年 9 月 22日，德國(guó)慕尼黑訊】隨著人工智能（AI）技術(shù)在大規(guī)模數(shù)據(jù)中心里的應(yīng)用，整個(gè)市場(chǎng)對(duì)更高性能的半導(dǎo)體器件的需求也將持續(xù)增加。這一趨勢(shì)使得為智能的企業(yè)級(jí)系統(tǒng)創(chuàng)建高功率密度、高能效的解決方案成為了一大挑戰(zhàn)。為了解決這一挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出了全新的OptiMOS? 5 IPOL系列降壓穩(wěn)壓器。該產(chǎn)品系列具有符合VR14標(biāo)準(zhǔn)的SVID和I2C/PMBus數(shù)字接口，適用于英特爾和AMD的服務(wù)器CPU及網(wǎng)絡(luò)ASIC/FPGA。這些
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OptiMOS?線性場(chǎng)效應(yīng)晶體管兼具低RDS(on)值與大安全工作區(qū)

  • 　　英飛凌科技股份公司推出OptiMOS?線性場(chǎng)效應(yīng)晶體管系列。這個(gè)全新產(chǎn)品系列兼具溝槽型功率場(chǎng)效應(yīng)管的低導(dǎo)通電阻(RDS(on))與平面MOSFET的大安全工作區(qū)。這就解決了RDS(on)與線性模式功能之間的平衡問(wèn)題。OptiMOS線性場(chǎng)效應(yīng)晶體管可在增強(qiáng)模式MOSFET的飽和區(qū)工作。OptiMOS線性場(chǎng)效應(yīng)晶體管最適合電信和電池管理系統(tǒng)(BMS)中常見(jiàn)的熱插拔、電子熔斷器和保護(hù)應(yīng)用?！　∧陀玫木€性模式操作和更高的脈沖電流都有助于實(shí)現(xiàn)較低傳導(dǎo)損耗、更快啟動(dòng)和更短的停機(jī)時(shí)間。通過(guò)限制較高的勵(lì)磁涌流，Opt
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英飛凌率先采用300毫米薄晶圓工藝批量生產(chǎn)新一代汽車功率場(chǎng)效應(yīng)管

  • 　　英飛凌科技股份公司在全球率先采用300毫米薄晶圓生產(chǎn)汽車功率場(chǎng)效應(yīng)管。第一個(gè)產(chǎn)品系列OptiMOS™ 5 40V針對(duì)二氧化碳減排應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。產(chǎn)品在英飛凌位于奧地利菲拉赫的晶圓廠生產(chǎn)。 　　英飛凌科技股份公司汽車電子事業(yè)部總裁Jochen Hanebeck表示：“通過(guò)采用300毫米薄晶圓工藝生產(chǎn)汽車功率場(chǎng)效應(yīng)管，英飛凌加強(qiáng)了自身的技術(shù)與市場(chǎng)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。英飛凌確保以具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格提供大規(guī)模量產(chǎn)的高性能汽車功率場(chǎng)效應(yīng)管。我們的汽車行業(yè)客戶將受益于供貨保障，以及英飛凌300毫米薄
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英飛凌推出針對(duì)體二極管硬式整流進(jìn)行了優(yōu)化的快速二極管

  • 　　英飛凌科技股份公司日前推出200V和250V?OptiMOSTM?FD，進(jìn)一步完善了中壓產(chǎn)品組合。作為針對(duì)體二極管硬式整流進(jìn)行優(yōu)化的最新一代功率MOSFET，這些器件更加可靠耐用，具有更低的過(guò)沖電壓和更低的反向恢復(fù)損耗，有助于實(shí)現(xiàn)最可靠的系統(tǒng)，特別是在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，如通訊系統(tǒng)、工業(yè)電源、D類音頻放大器、電機(jī)控制(適用于48–110V系統(tǒng))和直流/交流逆變器等?！　√岣呖煽啃裕瑫r(shí)節(jié)省成本　　OptiMOS?FD家族具備針對(duì)最高性能標(biāo)準(zhǔn)而優(yōu)化的反向恢復(fù)電荷(Qrr)。相比標(biāo)
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英飛凌推出的汽車電源管理OptiMOS P2芯片

  • 英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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英飛凌推出全新40V P溝道OptiMOS P2芯片

  • 　　2011年9月9日，德國(guó)紐必堡訊——英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日宣布推出采用先進(jìn)溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進(jìn)、碳減排和成本節(jié)約樹(shù)立了行業(yè)新標(biāo)桿，從而進(jìn)一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應(yīng)用領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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英飛凌推出OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列

  • 　　英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示會(huì)上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適合應(yīng)用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器電源的電壓調(diào)節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開(kāi)關(guān)。這種全新的MOSFET還被集成進(jìn)滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。 　　通過(guò)大幅降低三個(gè)關(guān)鍵的能效優(yōu)值(FOM)，這種全新的器件無(wú)論在任何負(fù)載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時(shí)達(dá)到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
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