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三星、東芝制程競賽不止

—— NAND Flash合約價續(xù)跌
作者: 時間:2010-10-20 來源:DigiTimes 收藏

   Flash大廠電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)制程競賽拼得火熱,在產(chǎn)出持續(xù)大幅增加下,10月上旬 Flash合約價再度下探,尤其是高容量64Gb芯片下修幅度高達5~7%,低容量芯片價格則是幾乎持平,市場預(yù)期日前平板計算機和智能型手機 (Smart Phone)都內(nèi)建高容量的 Flash存儲器,在年底圣誕節(jié)最后一波促銷熱潮之下,有機會提升NAND Flash市場的需求,彌補2010年快閃記憶卡和隨身碟都賣相不佳的缺憾。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/113681.htm

  和東芝2大NAND Flash供應(yīng)商市占率都超過30%,由于市占率接近,因此制程競賽和產(chǎn)能擴充都火拼的相當激烈,在2010年32納米制程量產(chǎn)后,接著都要轉(zhuǎn)進20納米制程世代,持續(xù)降低成本,以抵抗2010年跌跌不休的NAND Flash價格。

  下游客戶透露,目前NAND Flash價格已相當接近上游制造廠的成本區(qū),因此各廠再殺低的意愿也不高,因為一不小心可能又陷入虧損的窘境,這是許多存儲器大廠所不樂見的情況,也因此,有些NAND Flash大廠已開始放慢增產(chǎn)的速度,免得接下來進入傳統(tǒng)淡季后,產(chǎn)出增加又造成價格續(xù)跌的負擔。

  以10月上旬合約價來看,高容量64Gb芯片跌幅最深,高達5~7%,平均成交價約10美元,部分低價交易已來到8美元水平;32Gb容量芯片則小幅下跌1~2%;而在低容量芯片方面,包括8Gb和16Gb,合約價格幾乎是持平。

  下游業(yè)者認為,2010年的NAND Flash市場都是靠平板計算機、智能型手機等內(nèi)嵌式存儲器撐起一片天,尤其平板計算機的熱潮仍在,預(yù)計在2010年耶誕假期之前,會有一波智能型手機和平板計算機的需求加溫,屆時可帶動NAND Flash補貨熱潮竄出。

  由于目前NAND Flash價格接近上游大廠成本線,加上快閃記憶卡、隨身碟都賣相不佳,縱使有平板計算機和智能型手機應(yīng)用的加持,在進入12月傳統(tǒng)淡季后,這些題材都會淡化掉,因此NAND Flash大廠也會擔心產(chǎn)業(yè)供需嚴重失衡,已開始在考慮放緩新產(chǎn)能的投片速度,此舉有助于產(chǎn)業(yè)供需導(dǎo)向平衡。

  和東芝2011年都會進入20納米制程世代,且增加X3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片產(chǎn)出量,預(yù)計在制程競賽上是不會松懈,尤其又有美光(Micron)和英特爾(Intel)陣營技術(shù)跑在前面,三星和東芝或許會放緩新產(chǎn)能的投片速度,但制程演進腳步是不會休息的。



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