京瓷:小面積太陽(yáng)能電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)13.8％
—— 微晶硅層的形成方面采用了Cat-PECVD方法
作者：
時(shí)間：2010-10-25
來(lái)源：LED環(huán)球在線(xiàn)
收藏
英飛凌汽車(chē)電子生態(tài)圈
掃碼關(guān)注
獲取最新最全汽車(chē)電子
技術(shù)方案與實(shí)用技巧
在2010年10月19~21日于東京舉行的研討會(huì)“NaturePhotonicsTechnologyConference"上京瓷發(fā)表了有關(guān)演講，公布了有關(guān)薄膜硅太陽(yáng)能電池的研發(fā)情況。面積為1cm2的電池單元，穩(wěn)定前的轉(zhuǎn)換效率已達(dá)到13.8%.
本文引用地址：http://m.butianyuan.cn/article/113842.htm實(shí)現(xiàn)13.8%轉(zhuǎn)換效率的是疊加非晶硅層和微晶硅層的串聯(lián)構(gòu)造的薄膜硅太陽(yáng)能電池。京瓷在其中微晶硅層的形成方面，采用了稱(chēng)為Cat-PECVD的方法。
普通的PECVD方法是將SiH4和H2同時(shí)放入反應(yīng)室中。而京瓷則是將加熱到1800℃的鎢(W)絲和鉭(Ta)絲等作為觸媒(Catalyzer)分解H2,然后再導(dǎo)入反應(yīng)室中。這樣，就可形成高品質(zhì)的微晶硅。
采用Cat-PECVD方法時(shí)的微晶硅層的成膜速度為1.6nm/秒。在普通的PECVD方法中，該成膜速度下形成的薄膜硅太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率在11%上下。想要在普通的PECVD方法下使轉(zhuǎn)換效率提高到13.8%,就需要將成膜速度降至0.9nm/秒左右。今后，京瓷將以解決大面積化等課題為目標(biāo)推進(jìn)研發(fā)。
評(píng)論