SanDisk聯(lián)手東芝進軍10nm級別閃存工藝

　　2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級別，2011年則將成為20nm級別普及的開端，同時10nm級別工藝的投資和研發(fā)也即將陸續(xù)開始。

　　SanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營業(yè)費用投資就是研發(fā)，包括Fab 5晶圓廠上線投產(chǎn)，以及(10nm級別)和更先進NAND閃存制造工藝的技術(shù)投資。”

　　SanDisk指出，得益于移動設(shè)備的全球浪潮，閃存的市場需求正在迅猛增加，因此SanDisk將與東芝合作，加速2bpc(每單元兩個比特)、3bpc等規(guī)格MLC NAND閃存芯片的生產(chǎn)。

　　截至2011年1月2日，SanDisk第四季度收入13.3億美元，同比增長7%，環(huán)比增長8%，去年總收入48.3億美元，相比2009年的 35.7億美元大幅增長了35%;第四季度GAAP審計凈利潤4.85億美元(每股收益2.01億美元)，同比增長43%，環(huán)比增長51%，全年凈利潤 13.0億美元，同比增長31%。