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Microsemi太陽(yáng)能技術(shù)產(chǎn)品系列開始供貨

—— 產(chǎn)品在光伏應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、可靠和成本優(yōu)勢(shì)
作者: 時(shí)間:2011-03-21 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  致力實(shí)現(xiàn)智能、安全,以及互連世界的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商─美高森美公司( Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC) 宣布其技術(shù)產(chǎn)品系列現(xiàn)已供貨。美高森美面向可再生能源應(yīng)用的產(chǎn)品包括SmartFusion™和IGLOO® ;模擬及混合信號(hào)器件如旁路二極管/開關(guān)、MOSFET、FRED和IGBT;DC-DC轉(zhuǎn)換器,以及脈寬調(diào)制(PWM)模塊。這一種類豐富的產(chǎn)品系列能夠在整個(gè)范圍的光伏(PV)應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效、可靠且具有成本效益的解決方案,包括獲取電能、功率管理、功率開關(guān)和功率監(jiān)控。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/117909.htm

  美高森美公司SoC部門總經(jīng)理兼營(yíng)銷執(zhí)行副總裁Russ Garcia表示:“由于光伏行業(yè)設(shè)計(jì)人員必須積極滿足不斷創(chuàng)新的需求,同時(shí)應(yīng)對(duì)行業(yè)的成本和性能壓力,所以采用最新技術(shù)是至關(guān)重要的。美高森美公司提供從可編程器件和標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)貨部件直到完全定制ASIC的全面的產(chǎn)品系列,因而成為與光伏應(yīng)用設(shè)計(jì)人員共同實(shí)現(xiàn)技術(shù)和業(yè)務(wù)目標(biāo)的戰(zhàn)略合作伙伴。”

  美高森美擁有數(shù)十年提供高可靠性的創(chuàng)新性器件的豐富經(jīng)驗(yàn),而且具備較長(zhǎng)的產(chǎn)品供應(yīng)期。后續(xù)的產(chǎn)品開發(fā)焦點(diǎn)是提高靈活性、安全性和成本效益,并為不斷擴(kuò)大的光伏應(yīng)用設(shè)計(jì)社群提供全部所需部件和支持,從而將其設(shè)計(jì)快速帶入市場(chǎng)。

  · 旁路二極管用于獲取電能

  LX2400 IDEAL™太陽(yáng)能旁路器件采用專利CoolRUN™技術(shù),在光伏模塊應(yīng)用中提供一個(gè)旁路通道。該器件具有業(yè)界最低的正向電壓降,可在工作期間實(shí)現(xiàn)極低的發(fā)熱和溫升。LX2400具有同級(jí)最佳的可靠性和穩(wěn)健性,用于需要經(jīng)由模塊接線盒獲得10A或更高電流的應(yīng)用。

  新型肖特基勢(shì)壘光伏旁路二極管是世界上最薄的型款,其厚度僅為0.74 mm,可讓客戶將其集成在玻璃下面,省去接線盒。這超薄尺寸旁路二極管也可以用于縮減接線盒尺寸。SFDS系列10A二極管是專為太陽(yáng)能面板而設(shè)計(jì)的,采用獨(dú)特的靈活的銅質(zhì)引腳,具有經(jīng)過(guò)衛(wèi)星應(yīng)用驗(yàn)證的高可靠性。

  美高森美除了提供上述的獨(dú)特封裝之外,還提供采用軸向、表面安裝和通孔安裝的廣泛的肖特基旁路二極管,其標(biāo)準(zhǔn)電流范圍是10A至18A,電壓范圍為20 V至45 V,并同時(shí)提供設(shè)計(jì)和構(gòu)建選項(xiàng),提供電流高達(dá)60 A和電壓高達(dá)200V的定制器件。

  · SmartFusion和IGLOO 用于功率管理和控制

  Microsemi SmartFusion混合信號(hào)和IGLOO低功耗FPGA采用基于快閃技術(shù)的架構(gòu),是幫助逆變器設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)效率最大化,以及在較小的占位面積中集成板級(jí)功能的理想選擇。功能和算法包括更多數(shù)量的PWM狀態(tài)機(jī),最大功率點(diǎn)追蹤(MPPT)和功率因數(shù)校正(PFC)等,可在嵌入式32位ARM® Cortex™-M3或邏輯門之內(nèi)進(jìn)行劃分,以適合各種設(shè)計(jì)需求。

  · IGBT, MOSFET, FRED和DC-DC轉(zhuǎn)換器用于功率監(jiān)控

  新型600 V CoolMOS™ C6器件采用第五代高電壓超級(jí)結(jié)技術(shù),實(shí)現(xiàn)極低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗,可實(shí)現(xiàn)具有更高效率和功率密度水平的開關(guān)系統(tǒng)設(shè)計(jì)。


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