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三星量產(chǎn)新型NAND閃存芯片

—— 傳送速度比現(xiàn)在快10倍
作者: 時(shí)間:2011-05-15 來(lái)源:賽迪網(wǎng) 收藏

  5月13日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商電子周四稱(chēng),它已經(jīng)開(kāi)始大批量生產(chǎn)新的閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場(chǎng)上的任何其它閃存芯片都要快。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/119525.htm

  電子在聲明中稱(chēng),這種閃存芯片的密度為64GB,配置一個(gè)DDR 2.0接口,允許這種芯片最多以每秒400MB的帶寬傳送數(shù)據(jù)。這個(gè)數(shù)據(jù)傳輸速度比目前市場(chǎng)上廣泛應(yīng)用的閃存芯片的速度快10倍。這種新的NAND閃存芯片是采用20納米級(jí)加工技術(shù)制造的。

  稱(chēng),它預(yù)計(jì)這種新的芯片將用于高性能移動(dòng)設(shè)備,如智能手機(jī)、平板電腦和固態(tài)硬盤(pán)。



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