晶圓代工決勝18寸廠

　　DRAM制造少量多樣

　　雖然晶圓代工與標(biāo)準(zhǔn)記憶體產(chǎn)業(yè)的營運(yùn)有相當(dāng)差異，但臺積電若介入DRAM代工后，必然會發(fā)現(xiàn)原來DRAM的制造比非DRAM產(chǎn)品線的量小樣多及省事簡單，況且臺積電的制程研發(fā)能力比三星還優(yōu)異，臺積電若不介入DRAM代工，聯(lián)電便是最佳人選。

　　三星集團(tuán)是一家多角化的電子集團(tuán)，而臺積電則是只專注于非記憶體的晶圓代工廠，18寸廠上市后，全球DRAM廠大概只有三星才有財(cái)力投入，NANDFlash則可能只有三星及東芝會投入18寸廠，生產(chǎn)的廠商及先進(jìn)廠的產(chǎn)能變少了，但DRAM及NANDFlash的需求卻存在，爾必達(dá)、海力士及美光的核心能力與市場也還存在，所以這個考量便成為臺積電介入記憶體代工最大的驅(qū)動力。

　　全球18寸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭的情境受 2007～2010年DRAM市場的大崩盤影響，產(chǎn)業(yè)競爭模式有非常大的變化，雖然競爭的關(guān)鍵成本因素中的資源能力與核心能力不變，但卻多了一項(xiàng)因素是共同投資，過去在市場競爭激烈的對手，由于資源能力變得薄弱，但是為了生存的堅(jiān)強(qiáng)意志，爾必達(dá)、海力士及美光都會放低身段進(jìn)行跨國大整合，上述三者可能整合共同研發(fā)及共同投資18寸廠以對抗三星，這情境恐怕不是天方夜譚的故事。

　　盡管三星及全球晶圓(GlobalFoundries)公開挑戰(zhàn)臺積電，但臺積電也不是省油的燈，至少臺積電有許多挑戰(zhàn)者所無法復(fù)制的非價格競爭優(yōu)勢。

　　全球晶圓及三星雖然以低于臺積電15～20%的代工價搶單，但晶圓代工的顆粒成本，卻受良率與整合顧客服務(wù)價值的重大相關(guān)，所以全球晶圓及三星也憾動不了臺積電的龍頭寶座。

　　產(chǎn)能過剩隱憂浮現(xiàn)晶圓代工爭取IDM訂單

　　由超微(AMD)晶圓廠獨(dú)立出并結(jié)合中東資金成立全球晶圓，并購并新加坡特許半導(dǎo)體(CharteredSemiconductor)，正在進(jìn)行德國、美國及新加坡擴(kuò)充月產(chǎn)能十萬片的12寸廠，而除聯(lián)電在臺灣及新加坡擴(kuò)充月產(chǎn)能七萬片的12寸廠，三星及海力士也在擴(kuò)充12寸產(chǎn)能，未來老舊12寸產(chǎn)能可能轉(zhuǎn)進(jìn)代工，全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在大張旗鼓的擴(kuò)充產(chǎn)能，因此未來難免有產(chǎn)能過剩的疑慮。

　　這場景與氣氛就像2004～2006年的全球DRAM產(chǎn)業(yè)一樣，在一片豐收的快樂氣氛中，全球業(yè)者都不約而同步在大舉擴(kuò)充產(chǎn)能，當(dāng)時臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)是最樂觀且產(chǎn)能擴(kuò)充最大，因而引爆了全球同業(yè)的規(guī)模競賽，2004～2006年全球DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)充為2003年的2.2倍，制程也由0.14微米進(jìn)階到90奈米，一片產(chǎn)量增加為2.42倍，因此在2006年擴(kuò)充的新產(chǎn)能陸續(xù)量產(chǎn)開出后，產(chǎn)量暴增至少五倍，并促使2007年爆發(fā)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)性的產(chǎn)能嚴(yán)重過剩問題?，F(xiàn)在晶圓代工產(chǎn)業(yè)大規(guī)模的產(chǎn)能競賽的確與2004～2006年全球DRAM產(chǎn)業(yè)的場景及氣氛十分類似，從全球晶圓代工的12寸廠產(chǎn)能統(tǒng)計(jì)預(yù)估更可以感受到各家業(yè)者較勁的意味。

　　雖然理論上，2013年全球晶圓代工產(chǎn)能及制程進(jìn)階的產(chǎn)量，將擴(kuò)增為2010年的4.68倍，所幸，2010年基期不是很高，全球整合元件制造商(IDM)自有的產(chǎn)值依然是全球晶圓代工產(chǎn)值將近十倍。

　　由于全球IDM大廠的生產(chǎn)成本有大幅攀升的壓力，以及競爭優(yōu)勢的喪失，因此IDM大廠正加速釋出代工商機(jī)，這要看晶圓代工能提供何種誘因來爭取，以便化解產(chǎn)能及產(chǎn)量暴增所帶來產(chǎn)能過剩的危機(jī)。