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臺積電將加入國際半導(dǎo)體工藝研發(fā)聯(lián)盟

作者: 時(shí)間:2011-06-14 來源:SEMI 收藏

  《日本經(jīng)濟(jì)新聞》日前報(bào)導(dǎo),日本 Renesas Electronics(瑞薩電子) 和,將加入一個由日本主導(dǎo)、從事新世代芯片制程技術(shù)開發(fā)的國際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預(yù)計(jì)這個月開始研發(fā) EUV (超紫外光) 微影技術(shù),目標(biāo)在 2015 年底前結(jié)束。企業(yè)成員將運(yùn)用這項(xiàng)技術(shù)增進(jìn)自家產(chǎn)品的表現(xiàn),如閃存和系統(tǒng)芯片等。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/120387.htm

  此外,全球市占具一定份量的日本材料業(yè)者,包括 Asahi Glass Co.(5201-JP)、Shin-Etsu Chemical Co.、Hoya Corp.、Fujifilm Holdings Corp. 與 Nissan Chemical Industries Ltd. 等,也將加入該聯(lián)盟。聯(lián)盟成員將派遣約 40 名工程師,在日本茨城縣的一座研發(fā)中心進(jìn)行合作。

  荷蘭 ASML Holding NV 計(jì)劃在 2012 年推出 EUV 微影設(shè)備,日本在設(shè)備和材料的開發(fā)上已居于落后。該聯(lián)盟的目標(biāo),是發(fā)展出電路寬度 20 奈米以下的芯片制程技術(shù)。東芝 (6502-JP) 未來 3-5 年需以 EUV 微影技術(shù)來生產(chǎn)快閃記憶芯片,但顧慮自行研發(fā)成本太高,遂號召材料廠及外國芯片業(yè)者組成聯(lián)盟,并找來日本經(jīng)產(chǎn)省支持。

  瑞薩為了降低成本,已打算將線寬28 奈米或以下的所有芯片生產(chǎn)外包,加入聯(lián)盟的主因則是要了解技術(shù)。



關(guān)鍵詞: 臺積電 半導(dǎo)體

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