臺(tái)積電將加入國(guó)際半導(dǎo)體工藝研發(fā)聯(lián)盟

　　《日本經(jīng)濟(jì)新聞》日前報(bào)導(dǎo)，日本 Renesas Electronics(瑞薩電子) 和臺(tái)積電，將加入一個(gè)由日本主導(dǎo)、從事新世代芯片制程技術(shù)開發(fā)的國(guó)際聯(lián)盟。該聯(lián)盟預(yù)計(jì)這個(gè)月開始研發(fā) EUV (超紫外光) 微影技術(shù)，目標(biāo)在 2015 年底前結(jié)束。企業(yè)成員將運(yùn)用這項(xiàng)技術(shù)增進(jìn)自家產(chǎn)品的表現(xiàn)，如閃存和系統(tǒng)芯片等。

　　此外，全球市占具一定份量的日本半導(dǎo)體材料業(yè)者，包括 Asahi Glass Co.(5201-JP)、Shin-Etsu Chemical Co.、Hoya Corp.、Fujifilm Holdings Corp. 與 Nissan Chemical Industries Ltd. 等，也將加入該聯(lián)盟。聯(lián)盟成員將派遣約 40 名工程師，在日本茨城縣的一座研發(fā)中心進(jìn)行合作。

　　荷蘭 ASML Holding NV 計(jì)劃在 2012 年推出 EUV 微影設(shè)備，日本在設(shè)備和材料的開發(fā)上已居于落后。該聯(lián)盟的目標(biāo)，是發(fā)展出電路寬度 20 奈米以下的芯片制程技術(shù)。東芝 (6502-JP) 未來 3-5 年需以 EUV 微影技術(shù)來生產(chǎn)快閃記憶芯片，但顧慮自行研發(fā)成本太高，遂號(hào)召材料廠及外國(guó)芯片業(yè)者組成聯(lián)盟，并找來日本經(jīng)產(chǎn)省支持。

　　瑞薩為了降低成本，已打算將線寬28 奈米或以下的所有芯片生產(chǎn)外包，加入聯(lián)盟的主因則是要了解技術(shù)。