Kilopass把單次可編程型NVM專利授權(quán)給中芯國(guó)際
非易失性存儲(chǔ)芯片(NVM)專利廠商Kilopass公司本周二宣布,將把自己一項(xiàng)有關(guān)單次可編程型NVM產(chǎn)品專利授權(quán)給中芯國(guó)際使用,中芯國(guó)際將使用55nm制程技術(shù)制造使用這項(xiàng)專利技術(shù)的NVM存儲(chǔ)芯片。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/120912.htmKilopass同時(shí)表示,他們已經(jīng)成功完成了基于中芯國(guó)際65nm制程產(chǎn)品的流片設(shè)計(jì)工作,兩家公司自2005年起便建立了合作關(guān)系,當(dāng)時(shí)Kilopass剛剛把其單次可編程N(yùn)VM芯片的技術(shù)專利授權(quán)給中芯國(guó)際制造180nm制程產(chǎn)品。隨后,Kilopass依次又將有關(guān)的技術(shù)授權(quán)給了中芯130nm,90nm,65nm級(jí)別制程的產(chǎn)品。
據(jù)Kilopass稱,中芯國(guó)際的客戶需要將這種NVM芯片嵌入到多媒體處理器,MCU,RFID IC射頻識(shí)別芯片中去,以儲(chǔ)存數(shù)據(jù),自舉代碼,芯片ID等數(shù)據(jù)。
“很高興看到中芯國(guó)際愿意繼續(xù)在55nm制程產(chǎn)品上與我們合作研發(fā)NVM存儲(chǔ)芯片技術(shù)。將制程由65nm進(jìn)化到55nm后,芯片的面積和生產(chǎn)成本都將減小20%,而且不需要重新設(shè)計(jì)掩膜板,這對(duì)提高SOC芯片產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力而言非常有益。”
另據(jù)Kilopass宣稱,其授權(quán)的雙晶體管型反熔絲(2T antifuse)專利技術(shù)目前為止已經(jīng)被使用在20億片采用單次可編程型NVM存儲(chǔ)技術(shù)解決方案的芯片產(chǎn)品上,這種專利技術(shù)只需要使用標(biāo)準(zhǔn)的CMOS邏輯電路即可構(gòu)建,不需要變動(dòng)掩膜板設(shè)計(jì),芯片的制造工序/制造用設(shè)備等也可以保持不變。
PS:反熔絲技術(shù)(antifuse)是一種金屬間的可編程互連組件,與消費(fèi)電子領(lǐng)域常見的閃存技術(shù)在晶體管結(jié)構(gòu)上有所區(qū)別,但均可用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。反熔絲一般處于開路狀態(tài),且當(dāng)編程后就形成一個(gè)永久性的無源低阻抗連接。由于對(duì)反熔絲編程需要多個(gè)高壓脈沖,因此,高能粒子不可能改變其編程狀態(tài)。
評(píng)論