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賽普拉斯推出32位總線(xiàn)寬度低耗異步SRAM

—— 充分滿(mǎn)足電信、計(jì)算機(jī)、外設(shè)、消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用需求
作者: 時(shí)間:2011-08-03 來(lái)源:中電網(wǎng) 收藏

  半導(dǎo)體公司日前宣布推出具有 32 位總線(xiàn)寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL(更長(zhǎng)電池使用壽命)異步 。這些器件的推出進(jìn)一步豐富了業(yè)界領(lǐng)先的 產(chǎn)品系列(包括高性能同步、異步和微功耗器件)。這些全新 MoBL 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著提升系統(tǒng)性能,從而充分滿(mǎn)足電信、計(jì)算機(jī)、外設(shè)、消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品、醫(yī)療、軍事等領(lǐng)域的應(yīng)用需求。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/122094.htm

  堪稱(chēng)低功耗 SRAM 領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)先公司,提供了廣泛的 SRAM 產(chǎn)品系列(從 4 Kb到 128 Mb)。全新 128 Mb (CY62192ESL)、64 Mb (CY62182ESL) 和 32 Mb (CY62172ESL) MoBL 器件均可提供 32 位 I/O 配置,存取時(shí)間 (TAA) 為 55 納秒,并支持寬泛的電壓 (1.7V~5.5V)。上述低功耗異步 SRAM 采用賽普拉斯高性能 90 納米 R95™ CMOS 技術(shù)制造而成,并采用 14.0 x 22.0 x 2.4 毫米、符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 119 BGA 封裝。

  賽普拉斯異步存儲(chǔ)事業(yè)部高級(jí)總監(jiān) Sunil Thamaran 指出:“如果應(yīng)用需要在 SRAM 和控制器之間傳輸大量數(shù)據(jù),包括圖像、音頻、視頻和游戲應(yīng)用等,那么吞吐量就是一個(gè)重要的性能指標(biāo)。賽普拉斯推出全新 32 位 SRAM 器件,突顯了其始終致力于滿(mǎn)足該市場(chǎng)領(lǐng)域的高性能需求。此外,我們也已經(jīng)開(kāi)始開(kāi)發(fā)采用 65 納米技術(shù)的新一代高性能異步存儲(chǔ)器產(chǎn)品,其將進(jìn)一步降低功耗,并新增包括 ECC 在內(nèi)的高級(jí)功能。”



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