東芝強(qiáng)推功率半導(dǎo)體 登頂世界第一

　　作為進(jìn)行功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的東芝公司在近期發(fā)布會(huì)上表示，奪取市場(chǎng)份額首位寶座的決心。因認(rèn)為面向社會(huì)基礎(chǔ)設(shè)施和汽車等的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將大幅增長(zhǎng)，因此東芝首席常務(wù)執(zhí)行董事、半導(dǎo)體和存儲(chǔ)器社長(zhǎng)小林清志表示，“我們將向功率半導(dǎo)體投入大量資源，希望在幾年之內(nèi)登上業(yè)界首位的寶座，領(lǐng)先于其他公司”。目前，該公司的市場(chǎng)份額在業(yè)界位居第三。東芝準(zhǔn)備將自主開發(fā)的元器件工藝技術(shù)及大口徑化等作為競(jìng)爭(zhēng)力的源泉，以提高市場(chǎng)份額。

　　據(jù)介紹，東芝2011年度在功率半導(dǎo)體方面，對(duì)低耐壓品和高耐壓品，均將采用新的元器件構(gòu)造，以制造電力轉(zhuǎn)換效率高的產(chǎn)品。例如，低耐壓MOSFET將把原來(lái)的“UMOS型”改為新構(gòu)造，而高耐壓MOS FET將導(dǎo)入具有東芝自主技術(shù)經(jīng)驗(yàn)的Single Epi構(gòu)造超結(jié)(Super Junction)MOS。據(jù)悉，IGBT的耐壓部分將采用較薄的新構(gòu)造。另外，針對(duì)要求高頻工作的用途等，東芝正在開發(fā)采用SiC和GaN等新材料的功率半導(dǎo)體。

　　東芝今后考慮，將把NAND閃存生產(chǎn)基地——該公司四日市工廠的200mm生產(chǎn)線制造設(shè)備，轉(zhuǎn)用于功率半導(dǎo)體基地加賀工廠，從而實(shí)現(xiàn)“以少量的設(shè)備投資額，有效率地實(shí)現(xiàn)”大口徑化和產(chǎn)能的提高。由此，將200mm晶圓在功率半導(dǎo)體總產(chǎn)能中所占的比例，到2013年提高至80%以上。并且，因同年加賀工廠的現(xiàn)有生產(chǎn)線將達(dá)到滿負(fù)荷運(yùn)轉(zhuǎn)(Full Capacity)，所以估計(jì)需要新建廠房。關(guān)于后工序，將把2012年產(chǎn)量的80%、2013年產(chǎn)量的90%轉(zhuǎn)移到海外，以降低生產(chǎn)成本。功率半導(dǎo)體的后工序在生產(chǎn)成本中所占的比例為40%左右，高于存儲(chǔ)器等，因此海外轉(zhuǎn)移的成效較大。