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下一代光刻技術(shù)延遲 NAND成長(zhǎng)或趨緩

—— 閃存的成長(zhǎng)可能需要再評(píng)估
作者: 時(shí)間:2011-08-24 來源:集微網(wǎng) 收藏

  在日前的一場(chǎng)閃存高峰會(huì)中,公司的技術(shù)長(zhǎng)Yoram Cedar指出,下一代光刻技術(shù)的延遲,將導(dǎo)致閃存的成長(zhǎng)趨緩。市場(chǎng)原先對(duì)閃存的展望都相當(dāng)樂觀,但Cedar表示,由于超紫外光(EUV)光刻技術(shù)的延遲,閃存的成長(zhǎng)可能需要再評(píng)估。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/122856.htm

  現(xiàn)有的浸入式光刻工具將能能讓閃存業(yè)者前進(jìn)到小于10nm左右的幾何尺寸,他表示。此外,供應(yīng)商們也正在努力使用現(xiàn)有晶圓廠工具來建構(gòu)3D堆疊串,以進(jìn)一步提升產(chǎn)能和供給量。

  而在未來,包括在內(nèi)的芯片制造商都在開發(fā)新的3D架構(gòu),運(yùn)用阻抗的變化來建構(gòu)更高密度的芯片。但是,這種所謂的電阻式RAM (resistive RAM)將需要EUV工具,他表示。

  Cedar拒絕透露任何有關(guān)EUV或當(dāng)前3D芯片研究的具體時(shí)間表。不過,他表示,芯片制造商預(yù)計(jì)將推出采用浸入式工具開發(fā)的64和128Gb閃存元件。

  “從可用性和成本角度來看,今天半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,許多人都非常關(guān)注EUV的發(fā)展,但這項(xiàng)技術(shù)將耗資數(shù)百萬美元。”Cedar表示。

  據(jù)報(bào)導(dǎo),今年一月起便有一些預(yù)生產(chǎn)的EUV工具開始出貨。而一些報(bào)告也指出,EUV工具成本可能高達(dá)1.2億美元。

  但Cedar很樂觀:EUV終將成為大家都可負(fù)擔(dān)得起的方案。他還指出,業(yè)界一直恐懼摩爾定律即將終結(jié),但迄今這仍然沒有根據(jù)。

  “當(dāng)處于90nm時(shí),我們認(rèn)為要前進(jìn)到56nm非常困難,且這場(chǎng)工藝競(jìng)賽很可能隨時(shí)結(jié)束,”他說。

  但好消息是閃存的需求一直很強(qiáng)勁。2015年以前,閃存的預(yù)估復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)25%,幾乎是硬盤存儲(chǔ)的一倍,更遠(yuǎn)高于目前成長(zhǎng)率僅1%的DRAM,他說。

  截至2015年,大約三分之一的位元量將應(yīng)用在多達(dá)11部的智能手機(jī)中,Cedar表示。而平板電腦在2015年估計(jì)可達(dá)3.27億部,預(yù)估將消耗另外15%的NAND位元量。

  “平板電腦代表了一個(gè)從零開始,快速成長(zhǎng)到規(guī)模相當(dāng)龐大的市場(chǎng),”他說。“今天市場(chǎng)上有更多創(chuàng)新產(chǎn)品不斷問世,甚至在3~4年都無法預(yù)測(cè)到它們會(huì)如此蓬勃發(fā)展,未來這些產(chǎn)品也將維持其發(fā)展態(tài)勢(shì),”他補(bǔ)充道。

  他預(yù)計(jì)固態(tài)硬盤將消耗25%的NAND位元量,其中用戶設(shè)備為1.33億部,服務(wù)器約1,200萬部。其余的NAND方面約有26%會(huì)用在MP3播放器、USB驅(qū)動(dòng)和數(shù)碼相機(jī)中,他表示。



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