ST與Semikron聯(lián)合發(fā)布高功率應(yīng)用集成模塊
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ST與Semikron的合作為傳統(tǒng)的功率器件如IGBT、功率MOSFET及ST所有的ESBT(發(fā)射極開關(guān)雙極晶體管)器件等帶來了新機會,具有成本效益的功率雙極與功率MOSFET架構(gòu)的組合提供了高電壓性能與高開關(guān)頻率。
SEMITOP?封裝允許在單一模塊內(nèi)集成幾個芯片,包括IGBT、二極管與輸入橋式整流器等。封裝級集成度減少了分立解決方案所需的元件數(shù)目、節(jié)省了板空間,并確保了高級連接功能與固有的可靠性。高級工藝與材料的應(yīng)用,包括:DBC(直接鍵合銅技術(shù))陶瓷基板與內(nèi)部凝膠涂料等,實現(xiàn)了卓越的熱量管理,使其不會受到外部溫度變化與機械應(yīng)力的影響。
ST與Semikron的集成功率模塊用于滿足寬范圍應(yīng)用快速增長地對更高集成與更高可靠性的高功率平臺的需求,具體應(yīng)用包括:熔接、UPS、家電、馬達驅(qū)動與開關(guān)電源等。
SEMITOP封裝的使用,使得ST參與 IGBT模塊市場的競爭,并極大的鞏固了其在大批量消費類市場中的領(lǐng)先地位,為客戶帶來了新的價值。
新集成功率模塊的批量生產(chǎn)將于2006年第二季度展開,ST與Semikron將分別將其投入市場,確保雙重資源的同時更好地為客戶供應(yīng)器件。
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