恩智浦與華為攜手成立聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心

　　恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.與華為技術有限公司攜手成立的首個射頻功放聯(lián)合研發(fā)及創(chuàng)新實驗中心正式落戶上海。恩智浦射頻功率產品部總經理Reiner Beltman 和華為技術有限公司無線產品線中射頻與基站平臺部部長酈舟劍出席了實驗中心的開幕慶典，宣布即日起實驗中心正式投入使用。這標志著恩智浦和華為技術有限公司的業(yè)務聯(lián)系與技術合作進入了新的階段，恩智浦在射頻功率器件領域的領導地位獲得廣泛認可。

　　恩智浦與華為全力支持實驗中心建設，包括購買相關的儀器設備、建立自動化測試平臺、人員配備等。實驗中心秉承恩智浦與華為在射頻應用設計領域的經驗和創(chuàng)新理念，在無線基站相關的射頻功率領域，對前沿技術進行更為深入的合作和拓展開發(fā)，進一步推動無線基站向著綠色、環(huán)保、經濟的方向演進。

　　恩智浦射頻產品種類豐富，覆蓋從用于功率放大器的高功率LDMOS到用于RF/IF單片微波集成電路的最新SiGe:C BiCMOS。此外，先進的高速轉換器CMOS工藝滿足客戶對射頻前端系統(tǒng)的市場需求。恩智浦所有技術均由公司內部設計和生產，可根據具體應用進行有針對性的定制開發(fā)。