安森美半導(dǎo)體的電源和適配器方案

　　5) 線性穩(wěn)壓器：壓降低至40 mV，輸出電流范圍從80mA至3 A，電源抑制比高達(dá)90 dB，超快速瞬態(tài)響應(yīng)不到1 μs，2.5 μA的超低靜態(tài)電流(Iq)和接地電流(Ignd)。

　　表5：線性穩(wěn)壓器器產(chǎn)品一覽

　　6) 各種電源轉(zhuǎn)換MOSFET：這類功率器件可以分為幾類，如低導(dǎo)電損耗、低RDS(on)的ORing MOSFET，其IM總線ORing為30 V，48 V總線ORing為100 V;隔離式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)DC-DC(磚式) MOSFET，提供低導(dǎo)電損耗的低RDS(on)，集成了低損耗肖特基二極管，耐熱增強(qiáng)型SO-8 FL適用于需要散熱的應(yīng)用;非隔離式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)降壓DC-DCMOSFET，除具有低傳導(dǎo)損耗的低RDS(on) 特點(diǎn)，還集成了提高輕載效率的肖特基二極管，耐熱增強(qiáng)型SO-8 FL封裝適用于需要散熱的應(yīng)用。

　　7) MOSFET驅(qū)動(dòng)器：這些器件提供兩個(gè)輸出，可驅(qū)動(dòng)高電壓功率MOSFET和IGBT，適合多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(如半橋、非對(duì)稱半橋、有源鉗位、全橋)，電壓范圍高達(dá)600 V，dV/dt免疫力為±50 V/ns，與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳對(duì)引腳兼容。

　　8) 基于溝道的肖特基二極管：這類器件具有低Vf及高工作溫度能力的特點(diǎn)，有助于提高能效。

　　9) 電壓基準(zhǔn)：精確的基準(zhǔn)電壓從0.9 V至2.5 V，嚴(yán)格的電壓容限為0.4%至3%，輸出電壓范圍高達(dá)36 V;此外，還具有低動(dòng)態(tài)阻抗、低噪聲和穩(wěn)定運(yùn)行的特點(diǎn)，豐富的封裝包括表面貼裝和通孔。

　　全方位電源優(yōu)勢(shì)

　　安森美半導(dǎo)體利用其豐富的電源專長(zhǎng)、解決方案和產(chǎn)品，幫助設(shè)計(jì)人員快速提高系統(tǒng)能效。這些產(chǎn)品和解決方案可節(jié)省能耗，提供高性價(jià)比的電源，以滿足不斷變化的全球能效標(biāo)準(zhǔn)。高能效電源方案能幫助客戶完成提高其產(chǎn)品能效的挑戰(zhàn)，如低待機(jī)模式能耗、高工作模式能效和功率因數(shù)校正。

　　安森美半導(dǎo)體在全球擁有廣泛的設(shè)計(jì)和應(yīng)用資源網(wǎng)絡(luò)，現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用工程師以客戶為中心的支持，幫助客戶優(yōu)化電源設(shè)計(jì)。