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Ramtron宣布提供高速串口F-RAM器件樣片

作者: 時(shí)間:2011-10-27 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 International Corporation (簡稱)宣布提供全新4-至64Kb串口非易失性鐵電 RAM (F-RAM)存儲(chǔ)器的預(yù)認(rèn)證樣片,新產(chǎn)品采用全新美國晶圓供應(yīng)商的鐵電存儲(chǔ)器工藝制造,具有1萬次 (1e12)的讀/寫循環(huán)、低功耗和無延遲(NoDelay )寫入特性。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/125115.htm

  FM25040C、FM25C160C和FM25640C分別是 4、16和 64Kb F-RAM存儲(chǔ)器,能夠以高達(dá)20MHz的總線速度進(jìn)行寫操作,具有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)串行外設(shè)接口(SPI)。F-RAM存儲(chǔ)器陣列在接收到數(shù)據(jù)后,立即將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器,不同于需要數(shù)據(jù)輪詢的EEPROM和其它非易失性存儲(chǔ)器,F(xiàn)-RAM存儲(chǔ)器可以立即開始下一個(gè)總線周期,這些特性使得Ramtron最新的串口F-RAM存儲(chǔ)器非常適合需要頻繁和快速寫入的非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用,包括工業(yè)控制和高速數(shù)據(jù)采集等應(yīng)用。



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