新聞中心

可調(diào)諧RF激活你的LTE投資

作者:Art Morris 時(shí)間:2011-10-28 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  當(dāng) (Long Term Evolution,長(zhǎng)期演進(jìn)技術(shù))的部署氣勢(shì)重新抬頭,企業(yè)經(jīng)營(yíng)者與手機(jī)制造商都該明白,4G網(wǎng)絡(luò)并非性能萎靡不振時(shí)的萬(wàn)靈丹。事實(shí)上,大家必須了解,完整的解決方案包括了提升速度與可靠度,以及一系列持續(xù)強(qiáng)化處理,以避免因網(wǎng)絡(luò)流量過(guò)大、數(shù)據(jù)使用量增加,還有外形尺寸限制等因素而造成的擁塞。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/125218.htm

  一般來(lái)說(shuō),高數(shù)據(jù)傳輸率中使用的調(diào)變方案較為復(fù)雜,對(duì)信號(hào)處理的要求也格外嚴(yán)格。更麻煩的是,若要實(shí)現(xiàn)全球,就必須使用比更多的頻段,便攜設(shè)備的基本需求需具備7波段,而要達(dá)到真正的全球漫游,則需13波段以上。另外,更重要的是,天線的性能限制嚴(yán)重威脅到速度,這使得多功能服務(wù)供應(yīng)商無(wú)不翹首盼望,期待LTE能提供其承諾的投資回報(bào)率。

  可調(diào)諧RF采用體積更小但網(wǎng)絡(luò)性能更好的天線來(lái)提升LTE性能,也就是將可調(diào)諧RF器件附加到天線本身,這樣工程師就能設(shè)計(jì)出體積更小但性能更高的天線。通過(guò)這種方式,可調(diào)諧RF成功解決了業(yè)界人士所熟知的空間限制。

  另外,利用單一天線來(lái)接收更多頻率范圍的調(diào)諧功能,自然減少了手機(jī)實(shí)際運(yùn)行時(shí)所需的整體天線數(shù)量。依據(jù)MIMO(Multiple Input Multiple Output,多重輸入多重輸出技術(shù))的趨勢(shì)來(lái)看,這點(diǎn)意義重大,因?yàn)樵谠摷夹g(shù)中,有多達(dá)4根功能各自不同的天線存在??烧{(diào)諧RF以最高效率進(jìn)行發(fā)送與接收,而且不受其他干擾源(如頭和手的位置)的影響。

  

 

  解析高性能可調(diào)諧RF器件

  在少數(shù)已進(jìn)入市場(chǎng)的天線問(wèn)題補(bǔ)償方案中,只有動(dòng)態(tài)可調(diào)諧射頻微機(jī)電系統(tǒng)(RF-MEMS)技術(shù)能真正有效達(dá)到目的。

  業(yè)界領(lǐng)先的可調(diào)諧RF器件,是采用數(shù)字電容數(shù)組,利用了RF-MEMS技術(shù)將電子電路集成于單一硅晶粒(die)上。

  RF-MEMS電容器屬于機(jī)械器件,置于硅晶圓(silicon wafer)表面,P它包含兩片金屬板,且會(huì)因外加電壓產(chǎn)生的靜電而靠在一起。這兩個(gè)金屬板之間還設(shè)有一個(gè)絕緣層,這樣就構(gòu)成了電容器。相對(duì)于一般以電流通過(guò)半導(dǎo)體基板的實(shí)體開(kāi)關(guān),在RF-MEMS器件上的電流只在金屬中流動(dòng),損耗極低,且能進(jìn)行超線性運(yùn)作。

  由于RF-MEMS電容器集成于單一CMOS晶圓上,因此所有控制MEMS的器件也都在同一個(gè)晶粒上,不僅節(jié)省了路由空間,還將往來(lái)于控制線的信號(hào)耦合降至最低,這點(diǎn)很關(guān)鍵,因?yàn)槠骷?dòng)時(shí)往往需要高電壓(大約 35V DC)。既然RF-MEMS電容器位在同一個(gè)CMOS晶粒上,那么所需電壓就由芯片上的集成電荷泵來(lái)產(chǎn)生,這樣一來(lái),唯一需要的外部電源電壓,只需2.7-3.3V就夠了。此外,所有器件的驅(qū)動(dòng)程序都可內(nèi)置,而所有電容設(shè)定都可通過(guò)寄存器來(lái)選擇,不論寄存器是通過(guò)業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的SPI或MIPI RFFE串行接口。

  RF-MEMS器件機(jī)械結(jié)構(gòu)所產(chǎn)生的機(jī)械共振頻率較低-約60kHz。這是因?yàn)檎瘟?beam)會(huì)以驅(qū)動(dòng)信號(hào)的半波長(zhǎng)共振,所以當(dāng)MEMS器件閉合,共振就不那么明顯,且會(huì)轉(zhuǎn)移為數(shù)兆赫頻率。這種低機(jī)械共振頻率,造就了其優(yōu)秀線性度,因?yàn)镸EMS器件是無(wú)法直接對(duì)千兆赫范圍之信號(hào)變化產(chǎn)生反應(yīng)的。

霍爾傳感器相關(guān)文章:霍爾傳感器工作原理


霍爾傳感器相關(guān)文章:霍爾傳感器原理


關(guān)鍵詞: LTE 3G 201110

評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉