英飛凌推出業(yè)界首款無鉛封裝的汽車電源MOSFET

　　英飛凌宣布推出采用TO無鉛封裝的汽車電源的MOSFET的系列產(chǎn)品新型40V的OptiMOS T2的MOSFET TO - 262以及T2系列產(chǎn)品的量產(chǎn)已準(zhǔn)備就緒。

　　英飛凌的MOSFET的新系列產(chǎn)品超越了現(xiàn)行歐盟RoHS指令對于含鉛焊錫封裝的規(guī)范，更嚴(yán)格的ELV符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)可能將于2014年施行，屆時將要求采用完全無鉛的封裝方式。作為業(yè)界首款無鉛封裝MOSFET的，英飛凌的新產(chǎn)品讓客戶滿足更嚴(yán)格的要求。

　　英飛凌推出至無鉛封裝的汽車電源的MOSFET的新型40V的OptiMOS T2的MOSFET

　　英飛凌汽車電子事業(yè)處標(biāo)準(zhǔn)電源產(chǎn)品副總裁暨總經(jīng)理弗蘭克Schwertlein且符合RoHS環(huán)保之MOSFET，協(xié)助客戶開發(fā)節(jié)能的“綠色”產(chǎn)品。“

　　英飛凌專利的無鉛黏晶(芯片粘接) 175μm)，為功率半導(dǎo)體提供多項改良：

　　環(huán)保的技術(shù)：不使用線索及其他有毒物質(zhì)。

　　擴(kuò)散焊接黏晶技術(shù)結(jié)合薄晶圓制程：大幅降低封裝的導(dǎo)通電阻值的RDS(on)。

　　熱阻(RthJC)改善率高達(dá)40 - 50%：傳統(tǒng)的軟線索焊料的熱傳導(dǎo)能力不佳，阻礙了??MOSFET的接面之散熱。

　　其他優(yōu)點還包括：由于沒有焊錫流量跡(出血)及晶片傾斜(芯片tiltness)的問題，以及更收斂的RDS(ON)與RthJC

　　從新款的OptiMOS T2 40V(如：IPB160N04S4 - 02D，160A)的規(guī)格產(chǎn)品得知，其RDS(ON)僅2.0mΩ且RthJC僅0.9K / W相較于使用標(biāo)準(zhǔn)線索焊接的同類產(chǎn)品，其導(dǎo)通電阻降低了約20%的OptiMOS T2的產(chǎn)品擁有同級產(chǎn)品中最佳效能。