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LTPS、IGZO面板快速成長150%

—— 便攜式設備可長時間使用而不用充電
作者: 時間:2011-12-27 來源:半導體制造 收藏

  智能手機和平板計算機爆發(fā)式成長,使得LTPS(low temperature polysilicon低溫多晶硅技術)和IGZO(indium gallium zinc oxide組成的非結晶氧化物半導體技術)等生產高分辨率顯示器技術更為重要。這些TFT技術采用高移動速率半導體材料以減小TFT維度,提高光穿透率,使便攜式設備可長時間使用而不用充電。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/127493.htm

  根據NPD DisplaySearch TFT LCD制程技術藍圖趨勢報告,2012年高遷移率背板產量預計將提高150%,從2011年的560萬平方米迅速發(fā)展到1410萬平方米。如此高成長的驅動力主要在于許多五代線和更大的低溫多晶硅(LTPS)產線于2012年開始投入生產,且夏普、樂金顯示和三星現有的產線也投入生產僅屬氧化物(IGZO)。

  平板顯示獲利壓力大,廠商因而轉投入快速發(fā)展的便攜式應用,并積極尋求各種可降低成本的技術,NPD DisplaySearch制造領域研究副總Charles Annis表示。而所有的技術都在于如何提高的光穿透率。一般而言只有4-9%的背光能夠穿過到前端顯示屏,為達亮度指標會因此要求高強度的光源;另外,背光模塊是大尺寸液晶模塊中成本占比較高單一組件。因此,通過提高光穿透率,商就可以降低能耗和成本。

  廠商們期待真正好的新技術是能夠提高光穿透率同時不降低良率。面板商和其供應商都在努力開發(fā)生產技術,力爭取得競爭優(yōu)勢以提高2012年利潤。目前看來,像金屬氧化物(IGZO)這樣的技術,一方面可提高面板性能一方面可降低成本,將使面板商到獲取高度競爭優(yōu)勢,將有機會成為未來平板顯示產業(yè)制造新標準。



關鍵詞: 面板 TFT-LCD

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