半導體制程技術邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年
時序即將進入2012年,半導體產(chǎn)業(yè)技術持續(xù)進行變革,其中3D IC便為未來芯片發(fā)展趨勢,將促使供應鏈加速投入3D IC研發(fā),其中英特爾(Intel)在認為制程技術將邁入3D下,勢必激勵其本身的制程創(chuàng)新。另外在半導體業(yè)者預期3D IC有機會于2013年出現(xiàn)大量生產(chǎn)的情況下,預估2013年也可視為是3D IC量產(chǎn)元年。
本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/127565.htm3D IC為未來芯片發(fā)展趨勢,其全新架構帶來極大改變,英特爾即認為,制程技術將邁入3D,未來勢必激勵技術創(chuàng)新。英特爾實驗室日前便宣布與工研院合作,共同合作開發(fā)3D IC架構且具低功耗特性的內(nèi)存技術,此一技術未來將應用在Ultrabook、平板計算機、智能型手機等行動裝置,以及百萬兆級(Exascale)與超大云端數(shù)據(jù)中心(Cloud Mega-Data Centers)。
工研院認為,英特爾擁有多項技術專利,與工研院3D IC研發(fā)基礎相互結合,應可使臺灣產(chǎn)業(yè)關鍵自主技術,進一步帶動相關產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。
封測業(yè)界認為,近期半導體供應鏈在投入3D IC研發(fā)方面有加速的現(xiàn)象,很多廠商都加入研發(fā)的供應鏈中,包括晶圓廠、封測廠等,在3D IC的研發(fā)費用比2010年增加許多,這對發(fā)展3D產(chǎn)業(yè)是好事,預測3D IC應可望于2013年出現(xiàn)大量生產(chǎn)的情況,應可視為3D IC的量產(chǎn)元年。
日月光指出,在邏輯與內(nèi)存芯片接合的接口標準即Wide I/O Memory Bus,已于9月底塵埃落定,加入的半導體成員達上百家,如此將有助于加快廠商開發(fā)時程,促使3D IC盡早展開量產(chǎn)。
力成2011年完成研發(fā)中心及業(yè)務部門組織的改造,并且于新竹科學園區(qū)建立晶圓級封裝、3D IC先進制程及產(chǎn)品研發(fā)的實驗工廠,同時也開始興建3D IC先進制程量產(chǎn)工廠。該公司董事長蔡篤恭認為,TSV等3D IC將于2013年量產(chǎn)。
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