韓國周三批準(zhǔn)三星在華投建40億美元閃存廠

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，周三，韓國政府宣布，已經(jīng)批準(zhǔn)三星電子在中國建設(shè)一座閃存芯片工廠。這家工廠計(jì)劃投資40億美元，是三星在海外的第二座芯片工廠。工廠將使用20納米或以下半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝，大規(guī)模的量產(chǎn)將會(huì)在在2013年啟動(dòng)，該工廠每月處理的晶圓個(gè)數(shù)將達(dá)到十萬個(gè)。據(jù)報(bào)道，三星電子目前尚未確定工廠的選址。

　　根據(jù)韓國政府規(guī)定，本國企業(yè)要在海外設(shè)立高科技生產(chǎn)基地，必須向政府提交申請(qǐng)，以避免高端技術(shù)的外泄。韓國知識(shí)和經(jīng)濟(jì)部官員周三表示，三星電子將會(huì)成立一個(gè)委員會(huì)，專門防止中國工廠閃存芯片技術(shù)被泄露。

　　三星是全世界最大的NAND閃存芯片制造商，占據(jù)了全球四成的市場份額。其競爭對(duì)手主要包括日本東芝、韓國海力士半導(dǎo)體，以及美國美光科技公司。

　　根據(jù)IT研究機(jī)構(gòu)Gartner公司的報(bào)告，今年，中國的NAND閃存消耗量將占到全球一半，金額達(dá)到290億美元，到2015年，中國的消耗份額還將攀升到55%。

　　隨著華為科技、中興通訊等中國企業(yè)逐漸提升在全球智能手機(jī)、平板電腦領(lǐng)域的市場份額，中國廠商對(duì)于NAND閃存的需求也出現(xiàn)了快速增長。