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半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)入10納米世代材料、機(jī)臺將是2大挑戰(zhàn)

作者: 時間:2012-02-22 來源:ic72 收藏
        全球產(chǎn)業(yè)奉為圭臬的摩爾定律(Moore’s Law)發(fā)展雖有面臨瓶頸的挑戰(zhàn),然目前業(yè)者仍積極發(fā)展新材料,并在制程微縮上加緊腳步,國研院國家納米元件實驗室便表示,「三角型鍺鰭式晶體管」技術(shù)可克服矽基材上的鍺通道缺陷問題,讓技術(shù)進(jìn)入10納米制程。

        半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制程演進(jìn)速度愈來愈快,英特爾 () 22納米制程即將進(jìn)入量產(chǎn),臺積電制程技術(shù)也進(jìn)入28納米,DRAM技術(shù)制程年底進(jìn)入30納米,2012年將進(jìn)入20納米世代,而NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在2011年則是26、27納米制程,2012年將進(jìn)入20、19納米制程,半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)計未來2、3年會進(jìn)入14納米制程世代。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/129346.htm

        半導(dǎo)體業(yè)者表示,制程技術(shù)愈往下微縮,尤其是半導(dǎo)體制程技術(shù)在進(jìn)入10納米制程以下,新機(jī)臺和新材料會是半導(dǎo)體業(yè)者面臨的2大挑戰(zhàn),以新機(jī)臺設(shè)備為例,超紫外光微影(EUV)價格昂貴,對于半導(dǎo)體業(yè)者而言相當(dāng)頭痛,平均1臺EUV機(jī)臺設(shè)備要1億美元,折合新臺幣要30億元左右,對晶圓廠而言是非常高價的投資。

        臺積電研發(fā)資深副總蔣尚義曾表示,臺積電在14納米制程還未決定采用哪里一種機(jī)臺設(shè)備,EUV機(jī)臺效率讓晶圓產(chǎn)出不如預(yù)期,半導(dǎo)體制程技術(shù)未來不論是用EUV技術(shù)或是多電子光束無光罩微影技術(shù)(MEB),半導(dǎo)體設(shè)備端都是很大問題,需要再加把勁。

        半導(dǎo)體材料方面,國研院國家納米元件實驗室表示,相較于矽基材,純鍺材料的晶體管運(yùn)行速度可提升2~4倍,而「三角型鍺鰭式晶體管」技術(shù)則可克服矽基材上鍺通道會出現(xiàn)缺陷的問題,可實現(xiàn)10納米晶體管元件;再者,「銀金屬直立導(dǎo)線技術(shù)」則是利用底部成長(bottom-up)方式,突破傳統(tǒng)鎢金屬栓塞結(jié)構(gòu)在尺寸微縮時的制程瓶頸。

        國家納米元件實驗室分析,銀是目前電阻值最低的金屬,可符合10納米世代金屬導(dǎo)線制程需求。

        再者,在矽芯片上制作綠色環(huán)保雙面入光型高效率太陽能電池,結(jié)合銅銦鎵硒薄膜晶體管技術(shù),可開發(fā)「自供電力線路模塊的矽基太陽能元件」,包含多項與集成電路后段連導(dǎo)線兼容的關(guān)鍵技術(shù),包括低溫(~400°C)銅銦鎵硒薄膜共蒸鍍技術(shù)、無鈉無鎘綠色環(huán)保制程技術(shù)和高光采集率表面粗糙化技術(shù),可緊密與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)及技術(shù)結(jié)合。



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