新聞中心

EEPW首頁 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲 > 市場分析 > 固態(tài)硬盤每GB容量價格將跌破1美元

固態(tài)硬盤每GB容量價格將跌破1美元

—— 20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)
作者: 時間:2012-03-09 來源:cnbeta 收藏

  1GB 1美元——這很久以來就被視為真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻,而根據(jù)DRAMeXchange的最新報告,今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到。20nm、19nm等最新閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn),閃存芯片的成本也會進一步降低,每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計,在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的,而后者的主流容量也將升至128GB。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/130020.htm

  隨著Intel Ivy Bridge處理器的推出、固態(tài)硬盤價格的進一步下跌,超極本有望在今年第三季度迎來大爆發(fā),而固態(tài)硬盤也會逐漸成為PC升級的首選。

  DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示,固態(tài)硬盤對閃存的消耗比例在2011年僅為5.1%,今年有望猛增至15%,因此固態(tài)硬盤對閃存市場的貢獻潛力是非常巨大的,制造商們也會因此更加不遺余力地改進閃存的工藝、性能和可靠性。

  Intel將在今年第三季度推出20nm MLC 閃存的新一代2.5寸固態(tài)硬盤King Crest。OCZ甚至還打算在固態(tài)硬盤中使用三層存儲單元的TLC NAND閃存芯片,勢必會進一步帶動固態(tài)硬盤價格的下跌。



關(guān)鍵詞: 固態(tài)硬盤 NAND

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉