3D IC制程標準須與國際接軌

　　日前，在SEMI臺灣和臺工研院共同主辦、先進堆疊系統(tǒng)與應用研發(fā)聯(lián)盟(Ad-STAC)協(xié)辦的“SEMI國際技術標準制訂與全球3D IC技術標準研討會”中，半導體制造聯(lián)盟(SEMATECH) 3D Enablement Center的Richard A. Allen，以及SEMI資深協(xié)理James Amano，分享了數(shù)項SEMI國際技術標準最新發(fā)展、成功案例，以及國際上3D IC技術標準之布局。

　　SEMI指出，3D IC由于整合度高、體積小、成本和功耗低等優(yōu)勢，已成現(xiàn)今半導體產(chǎn)業(yè)不可或缺的重要發(fā)展技術。SEMI臺灣集結多家相關業(yè)者，積極參與國際產(chǎn)業(yè)技術標準的制訂，持續(xù)討論和研擬制訂不同生產(chǎn)階段中所需的標準，透過專利權的建置、掌握國際標準脈動，才是讓臺灣廠商持續(xù)創(chuàng)造競爭優(yōu)勢，以應產(chǎn)業(yè)萬變的最佳策略。

　　臺灣工研院量測中心副主任林增耀在會中表示，世界經(jīng)濟局勢變動劇烈，唯有擁有專利、掌握國際標準脈動，才是創(chuàng)造競爭優(yōu)勢以應萬變的最佳策略，參與國際產(chǎn)業(yè)技術標準的制訂，更成為臺灣企業(yè)布局國際市場的重要攻防戰(zhàn)。

　　半導體制造聯(lián)盟(SEMATECH) 3D Enablement Center的Richard A. Allen于會中表示，3D IC具備整合度高、體積小、成本和功耗低等優(yōu)勢，已成現(xiàn)今產(chǎn)業(yè)不可或缺的重要發(fā)展技術，而隨著3D IC技術受到重視，如何建立立體堆疊整合最常用的矽穿孔(TSV)技術標準也備受矚目。

　　SEMI產(chǎn)業(yè)標準與技術專案資深經(jīng)理張嘉倫指出，SEMI在臺灣致力于推動3D IC標準制訂，已集結包括臺積電、聯(lián)電、日月光、矽品、晶電、聯(lián)發(fā)科、漢民科技等半導體大廠參與討論不同生產(chǎn)階段中所需的標準，相關技術領域范圍涵蓋矽穿孔(TSV)、接合和薄化制程、測試檢驗和量測、設備和材料標準的研擬和制訂。

　　SEMI指出，由于3D IC設計復雜度遠高于傳統(tǒng)晶片，技術及成本挑戰(zhàn)接踵而來，SEMI以制造業(yè)需求為導向，所制訂出的3D IC產(chǎn)業(yè)技術標準，對提升產(chǎn)能、降低制造成本、縮短產(chǎn)品上市所需時間，以確保全球各地在設備與制程的相容性，而這也是牽連到臺灣企業(yè)布局國際市場的重要攻防戰(zhàn)。