通過(guò)增益校準(zhǔn)提高DAC積分非線性(INL)

　　在正常操作期間，如果傳到DAC的數(shù)字代碼小于中間點(diǎn)，轉(zhuǎn)換前使用第一個(gè)增益校準(zhǔn)值來(lái)修正。如果傳到DAC的數(shù)字代碼大于中間點(diǎn)，轉(zhuǎn)換前使用第二個(gè)增益校準(zhǔn)值來(lái)修正。通過(guò)更新圖3所示的gain trim registers(增益調(diào)整寄存器)校準(zhǔn)即時(shí)完成。使用SoC里面的直接存儲(chǔ)器存取(DMA)模塊，寄存器更新速度會(huì)更快。

　　在全范圍中間改變?cè)鲆嫘拚禃?huì)產(chǎn)生調(diào)整偏移(見(jiàn)方程3)。這個(gè)調(diào)整偏移需要在算法的后半部分來(lái)補(bǔ)償 (見(jiàn)圖5)。　　

　　結(jié)果

　　我們來(lái)做個(gè)比較，使用傳統(tǒng)終端校驗(yàn)的8位電流DAC(iDAC)沒(méi)有實(shí)施我們所講的算法之前測(cè)量的INL性能，INL大約為1.5 LSB，如圖6所示。　　

圖6：使用傳統(tǒng)終端增益校驗(yàn)IDAC的INL

　　使用該算法后，INL現(xiàn)在降到0.8LSB，如圖7所示。　　

圖7：使用兩點(diǎn)增益校準(zhǔn)IDAC的INL

　　結(jié)論

　　我們介紹了SoC中用于提高DAC積分非線性 (INL)的固件技術(shù)。并以PSoC^® 3為例進(jìn)行了驗(yàn)證。對(duì)于PSoC^® 3中的電流和電壓DAC,該方法可以使INL改善85%。