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明導支持三星14nm IC制造工藝平臺問世

—— 能夠為客戶提供完整的從設計到晶圓的并行流程
作者: 時間:2012-12-25 來源:SEMI 收藏

  明導公司( Graphics Corp)今天宣布,用以支持三星制造工藝的綜合設計、制造與后流片實現(xiàn)(post tapeout)平臺問世,這一平臺能夠為客戶提供完整的從設計到晶圓的并行流程,使早期加工成為可能。完全可互操作的 流程可幫助客戶實現(xiàn)快速設計周期和晶圓生產(chǎn)的一次性成功。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/140416.htm

  明導專門用于三星14nm晶圓優(yōu)化的解決方案,包含設計規(guī)則檢查(DRC)、LVS查驗、提取、可制造性設計(DFM)和先進填充等功能的Calibre?平臺,以及Tessent?可測試性設計(DFT)套件和良率分析工具。

  “三星和明導合作加速設計實現(xiàn)與制造合作優(yōu)化技術已經(jīng)有多年了,我們在節(jié)點上的合作比以往更加重要。”三星電子公司器件解決方案部與系統(tǒng)LSI基礎設施設計中心高級副總裁Kyu-Myung Choi博士表示。“14nm的設計規(guī)則極其復雜,在引入了FinFETs以及雙重圖形(DP)層后。在目標晶圓代工廠的制造工藝中,物理設計、驗證和測試工具這三者的緊密協(xié)調至關重要。由于三星還在自己的開發(fā)中使用了明導的Calibre解決方案,所以使用它的設計師將能得到精確及時的反饋,以便實現(xiàn)設計流程的同步優(yōu)化。”

  Calibre平臺創(chuàng)建了分解后的雙重圖形(DP)版圖,符合三星所有14nm光刻技術的要求,并且專為三星的掩模綜合和OPC工藝作了微調,后者在14nm中的工藝也由明導提供。這一平臺還能快速向設計師提供關于FinFETs復雜設計規(guī)則的反饋信息,并就消除DFM光刻差錯提供具體指導,以便更快、更精確地修復差錯。用于LVS和提取的Calibre工具經(jīng)過了校準,以確保符合三星FinFETs的精確設計和寄生模型,消除使用其他工具可能產(chǎn)生的有重大影響的“重復計數(shù)”。而且,Calibre SmartFill還通過智能布局填充結構以實現(xiàn)平面性來確保在設計中不會出現(xiàn)CMP問題,同時最小程度的減少時序問題。

  之前在Tessent單元識別(cell-aware)測試工具方面的合作,提高了14nm的新單元內部結構的測試質量,并且提高了測試向量壓縮,從而控制較大的14nm晶圓設計的測試成本。明導與三星還通過在Tessent工具與Calibre圖形匹配設施之間交換信息,在設計收尾過程中利用生產(chǎn)測試診斷來迅速識別并消除因設計原因造成的良率限制問題。

  “明導與三星通過緊密合作,已經(jīng)能夠為我們的客戶提供與三星14nm制造工藝并行的所有必要的平臺技術。”明導國際副總裁兼硅晶設計部總經(jīng)理Joseph Sawicki表示。“為了提供能夠符合14nm一切要求的設計生態(tài)系統(tǒng),這種層次的合作是絕對必要的。”



關鍵詞: Mentor IC 14nm

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