新聞中心

EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 全片內(nèi)LDO頻率特性的簡(jiǎn)化電路分析方法

全片內(nèi)LDO頻率特性的簡(jiǎn)化電路分析方法

作者:楊潔 楊艷軍 時(shí)間:2013-02-07 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  摘要:對(duì)于無(wú)片外大電容的低壓差線性來(lái)說(shuō),用建立小信號(hào)模型來(lái)分析系統(tǒng)傳輸函數(shù)從而推出零極點(diǎn)分布的方法過(guò)于復(fù)雜繁瑣,本文提出一種簡(jiǎn)化電路分析方法,可以不用復(fù)雜的化簡(jiǎn)和計(jì)算就可以得出的零極點(diǎn)位置分布,并通過(guò)幾種頻率補(bǔ)償方式為例介紹該方法的應(yīng)用,最后通過(guò)仿真驗(yàn)證了此方法的準(zhǔn)確性。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/141878.htm

  引言

  對(duì)于全片內(nèi)而言,由于沒(méi)有片外大電容,故很大程度上LDO的穩(wěn)定性成為全片內(nèi)LDO設(shè)計(jì)的難點(diǎn)。而頻率特性是衡量穩(wěn)定性的重要指標(biāo),只有清楚電路的零極點(diǎn)的位置分布,才可以對(duì)LDO的穩(wěn)定性進(jìn)行補(bǔ)償,最常見(jiàn)的方法就是通過(guò)建立小信號(hào)模型,利用KCL和KVL等定理對(duì)各個(gè)方程式進(jìn)行化簡(jiǎn),得出系統(tǒng)傳輸函數(shù),但這種方法需要的計(jì)算量比較大,隨著補(bǔ)償電容和級(jí)數(shù)的增加,計(jì)算會(huì)越來(lái)越繁瑣,不利于快速分析。本文的工作主要是提出一種通過(guò)利用簡(jiǎn)化框圖的結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)在分析極點(diǎn)和零點(diǎn)時(shí)各采用不同假設(shè)從而得到不同的電流通路,可以快速分析出LDO系統(tǒng)零極點(diǎn)的分布情況,最后并通過(guò)仿真驗(yàn)證了該方法的可靠性。

  傳統(tǒng)的小信號(hào)分析方法

  如圖1所示,普通無(wú)片外電容LDO結(jié)構(gòu)一般由誤差放大器(EA),MP以及電阻反饋網(wǎng)絡(luò)RF1、RF2組成,CL是一個(gè)容值很小的電容,對(duì)于片內(nèi)集成的LDO來(lái)說(shuō),一般只有1pF~50pF左右。以密勒補(bǔ)償為例,采用傳統(tǒng)的小信號(hào)分析方法,如圖2?! ?/p>

 

  其中個(gè)gm1和ro1分別為誤差放大器的跨導(dǎo)和輸出電阻,gmp和rds分別為的跨導(dǎo)和溝道電阻,Cgs和Cgd分別為的柵源電容和柵漏電容,Cc為密勒補(bǔ)償電容。根據(jù)KVL和KCL定理可得如下關(guān)系:  

電容相關(guān)文章:電容原理
電容傳感器相關(guān)文章:電容傳感器原理


評(píng)論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉