IC制造業(yè)：大聯(lián)盟領(lǐng)軍，小聯(lián)盟跟進(jìn)
—— IC制造業(yè)：大聯(lián)盟領(lǐng)軍
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根據(jù)工藝先進(jìn)性、營(yíng)收能力、產(chǎn)能規(guī)模等各方面的整體性實(shí)力來看，TSMC與英特爾、三星位于前三名，被業(yè)界稱為晶圓制造業(yè)的大聯(lián)盟，并且成為IC制造業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)。
而其他的半導(dǎo)體公司則像是在小聯(lián)盟。小聯(lián)盟的公司通常看大聯(lián)盟的動(dòng)向，大聯(lián)盟推出什么，小聯(lián)盟就跟進(jìn)。
而其他的半導(dǎo)體公司則像是在小聯(lián)盟。小聯(lián)盟的公司通常看大聯(lián)盟的動(dòng)向，大聯(lián)盟推出什么，小聯(lián)盟就跟進(jìn)。
這幾年，大聯(lián)盟成員每年在制造業(yè)的資本投入在八九十億美元左右，而有些小聯(lián)盟成員的年投資額相對(duì)較小。例如2012年TSMC的資本支出是83億美元，(注：TSMC 2012年?duì)I收171億美元)；而中國(guó)的SMIC年投資額十億美元左右。
大聯(lián)盟的三家各有長(zhǎng)項(xiàng)。三星在存儲(chǔ)器上領(lǐng)先；英特爾在晶體管的速度上領(lǐng)先；而TSMC在芯片的集成度與整體性上有優(yōu)勢(shì)，這包括布線寬度, 工藝全面性等指標(biāo)。
同業(yè)也許聲稱其FinFET 3D的工藝尺寸比TSMC小，事實(shí)上大家在工藝實(shí)現(xiàn)上跟TSMC的想法、概念是一樣的。TSMC中國(guó)業(yè)務(wù)發(fā)展副總經(jīng)理羅鎮(zhèn)球澄清道，因?yàn)闊o論14nm還是16nm，實(shí)現(xiàn)的方式本質(zhì)上是一樣的，都是后段工藝比照20nm，前段才做新一代的FinFET。
另外，羅鎮(zhèn)球又進(jìn)一步介紹了布線寬度的優(yōu)勢(shì)。他說，在對(duì)邏輯芯片做SoC設(shè)計(jì)時(shí)，晶體管的性能表現(xiàn)是一方面，布線的表現(xiàn)又是另一方面。就性價(jià)比來看，布線寬度越窄，SoC的面積就愈小, 性價(jià)比也更好。“TSMC在布線寬度方面非常先進(jìn)，因此在SoC集成方面會(huì)特別強(qiáng)。”
目前為止，領(lǐng)軍的大聯(lián)盟的三個(gè)公司相互之間沒有直接競(jìng)爭(zhēng)。但就長(zhǎng)遠(yuǎn)而言，大聯(lián)盟的三個(gè)公司有一定程度的競(jìng)爭(zhēng)恐怕是很難避免的。
評(píng)論