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魏少軍:切勿錯(cuò)失超摩爾定律機(jī)會(huì)窗口

作者: 時(shí)間:2013-04-10 來(lái)源:中國(guó)電子報(bào) 收藏

  確實(shí)是變慢了。依照,全球半導(dǎo)體的工藝制程技術(shù)平均每2年進(jìn)入一個(gè)新世代。但是從工藝微縮角度講,所有業(yè)界人士有一個(gè)共識(shí),即半導(dǎo)體遲早會(huì)遇到技術(shù)上無(wú)法克服的物理極限,無(wú)論是10nm、7nm,還是5nm,極限必然存在。傳統(tǒng)的光學(xué)光刻技術(shù)還在向細(xì)微化延伸,目前利用193nm浸液式,加上兩次圖形曝光技術(shù)已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)20nm工藝技術(shù)的量產(chǎn)。但業(yè)界一致認(rèn)為下一代14nm可能是個(gè)坎兒,要么采用更復(fù)雜的三次圖形曝光技術(shù),但是那會(huì)大幅增加曝光次數(shù)和制造成本;或者采用具有革命性的14nmEUV光刻技術(shù),但工藝制程尚未理順。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/144002.htm

  此外,即使技術(shù)上可行,產(chǎn)品還要受到成本等綜合因素的限制,能否被工業(yè)界接受還是未知數(shù)。目前,硅片直徑正由300mm向450mm過(guò)渡。從理性思維出發(fā),硅片直徑增大是遲早會(huì)被采用的,因?yàn)槊娣e放大2.25倍,平均來(lái)說(shuō)成本僅增加30%,還是十分誘人的。但是半導(dǎo)體業(yè)界擁抱450mm晶圓的熱情并不強(qiáng)烈。首先,半導(dǎo)體設(shè)備廠的積極性就不高,它們害怕450mm設(shè)備高達(dá)200億美元的研發(fā)成本可能無(wú)法收回;其次,半導(dǎo)體制造廠的積極性也不高,它們唯恐高達(dá)100億美元的建廠費(fèi)用無(wú)法收回。目前對(duì)于450mm有能力、有興趣的芯片制造廠僅有三家——英特爾、三星和臺(tái)積電。

  總之,縮小線路工藝尺寸和擴(kuò)大硅片直徑歷來(lái)是推動(dòng)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)步的“兩個(gè)車(chē)輪”。然而目前這兩個(gè)輪子都遇到了阻礙。

  本來(lái),先進(jìn)技術(shù)水平前進(jìn)速度減慢有利于落后者趕超,但是這一趨勢(shì)對(duì)中國(guó)IC業(yè)的影響卻存在極大的不確定性。近年來(lái),中國(guó)IC業(yè)基本以滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)為導(dǎo)向,形成的最大競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)主要為兩點(diǎn):貼近用戶與快速搶市。中國(guó)電子業(yè)的特色是生產(chǎn)廠商多、市場(chǎng)改變快、產(chǎn)品窗口期短。中國(guó)IC企業(yè)在追求短期市場(chǎng)效益之下,基本形成了一套以客戶為導(dǎo)向,集中產(chǎn)品開(kāi)發(fā)資源于先鋒產(chǎn)品之上,快速推出產(chǎn)品,快速攻占市場(chǎng)的戰(zhàn)術(shù)。這一策略盡管存在短期效應(yīng)之嫌,但也有其合理性。面對(duì)國(guó)際大廠的激烈競(jìng)爭(zhēng),中國(guó)IC業(yè)仍然能發(fā)揮主場(chǎng)優(yōu)勢(shì),獲取市場(chǎng)份額,保持增長(zhǎng)。

  但是,隨著的放緩,國(guó)際大廠開(kāi)始通過(guò)其他創(chuàng)新方式來(lái)解決問(wèn)題。以對(duì)工藝技術(shù)極其敏感的內(nèi)存行業(yè)為例,相關(guān)企業(yè)開(kāi)始通過(guò)內(nèi)存的管理技術(shù),包括用一些控制器和固件的方式更好地去管理;通過(guò)更加先進(jìn)的封裝技術(shù),比如三維的封裝、堆疊的封裝以及超纖薄的封裝技術(shù)來(lái)解決電子蝕刻技術(shù)演進(jìn)腳步放緩帶來(lái)的問(wèn)題。也就是說(shuō),未來(lái)國(guó)際大廠將把半導(dǎo)體市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)拉高到系統(tǒng)層級(jí)。在系統(tǒng)層級(jí)上,競(jìng)爭(zhēng)層次除了設(shè)計(jì)工藝之外,還多出了芯片封裝和測(cè)試工藝、零件減量規(guī)劃等。如果國(guó)內(nèi)IC業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)策略還墨守在硅片層級(jí),發(fā)展前景將不容樂(lè)觀。

  在此情況下,中國(guó)IC業(yè)要想避免競(jìng)爭(zhēng)中的不利因素,套用時(shí)下一句流行語(yǔ)叫“創(chuàng)新要逐步進(jìn)入深水區(qū)”。

  這首先就要求中國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新需要由以“仿制”、“替換”進(jìn)口產(chǎn)品為主的再創(chuàng)新,轉(zhuǎn)向注重自主標(biāo)準(zhǔn)、核心技術(shù)的集成創(chuàng)新乃至原始創(chuàng)新。2012年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模已超過(guò)2200億元,在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總量中所占比重已經(jīng)超過(guò)了10%。但中國(guó)IC設(shè)計(jì)業(yè)的集群創(chuàng)新、整合力低,市場(chǎng)資源利用、組織能力較差;同時(shí),也暴露出了產(chǎn)業(yè)自身供需價(jià)值鏈和生態(tài)鏈的構(gòu)建和環(huán)境駕馭能力弱,市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力缺乏核心支撐等問(wèn)題。這些方面都是未來(lái)需要著力解決的。

  其次,要選好突破口。雖然“摩爾定律”有放緩之勢(shì),“超摩爾定律”卻不斷發(fā)酵,MEMS和傳感器、智能功率、汽車(chē)芯片、嵌入式處理器等新興半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)不斷擴(kuò)大,美日歐等國(guó)際大廠正在不斷加大這一領(lǐng)域的技術(shù)研發(fā)與市場(chǎng)拓展力度。中國(guó)企業(yè)絕不應(yīng)再錯(cuò)失這個(gè)機(jī)會(huì)窗口。

  最后,應(yīng)當(dāng)探索一個(gè)有效的中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展模式。目前業(yè)界有人提出了虛擬IDM、整機(jī)帶動(dòng)等發(fā)展模式,無(wú)論是通過(guò)抱團(tuán)取暖,還是依靠終端市場(chǎng)的實(shí)力整體推進(jìn),均有其合理性,值得未來(lái)進(jìn)一步探索。

  專(zhuān)家觀點(diǎn)

  中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)副理事長(zhǎng)魏少軍

  先進(jìn)制造高額投資考驗(yàn)中國(guó)IC業(yè)

  當(dāng)前,建一個(gè)代工廠,28nm技術(shù)大概需要80億美元~100億美元,16nm需要120億美元~150億美元,這個(gè)投資成本太大;生產(chǎn)成本也會(huì)很大,32nm需要1500個(gè)工序,22nm需要2000個(gè)工序。成本下不來(lái),功耗問(wèn)題不得不考慮全新的架構(gòu),移動(dòng)通信以后一定會(huì)用FINFET技術(shù)。

  隨著技術(shù)的發(fā)展和投資的增加,代工廠的數(shù)量一直在下降,到22nm時(shí),已經(jīng)不到10家,到14nm時(shí),只有3家代工廠——英特爾、三星、臺(tái)積電。如果沒(méi)有其他代工廠加入16nm/14nm,國(guó)內(nèi)的制造企業(yè)會(huì)遇到很大麻煩。代工廠技術(shù)的進(jìn)步,支持其的設(shè)計(jì)公司的數(shù)量在減少,未來(lái)只有少數(shù)的芯片制造商能夠支持得起這樣的研發(fā)。

  這種情況,對(duì)于高通的挑戰(zhàn)是,到22nm時(shí),高通要保持領(lǐng)先地位,必須得找到一個(gè)很好的制造伙伴。之前高通與臺(tái)積電合作,但是目前臺(tái)積電還沒(méi)有FINFET工藝技術(shù),要具備該技術(shù)至少需要3年的時(shí)間。如果沒(méi)有更先進(jìn)的技術(shù),高通只能停留在28nm和32nm,這樣很容易被追上。

  如果高通與英特爾聯(lián)手,高通就可以利用世界上最先進(jìn)的制造工藝開(kāi)發(fā)出更高性能、更低功耗的SoC方案。這種方案具備太多的優(yōu)勢(shì),其他同行無(wú)法戰(zhàn)勝。這樣,英特爾就進(jìn)入了移動(dòng)互聯(lián)市場(chǎng)。那么,其他芯片制造商、芯片設(shè)計(jì)企業(yè)都將會(huì)輸?shù)簟?/p>

  賽迪顧問(wèn)副總裁李珂

  中國(guó)半導(dǎo)體創(chuàng)新步入“深水區(qū)”

  隨著行業(yè)的快速發(fā)展,中國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新正逐步進(jìn)入“深水區(qū)”。這就要求創(chuàng)新不能再“摸著石頭過(guò)河”,而需要做好頂層設(shè)計(jì)與長(zhǎng)遠(yuǎn)規(guī)劃。近幾年來(lái),國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在家電、手機(jī)、智能卡等諸多領(lǐng)域取得了一大批創(chuàng)新成果。但是,在CPU、存儲(chǔ)器、微控制器、數(shù)字信號(hào)處理器等高端通用芯片領(lǐng)域,仍未有大的突破。造成這一局面的原因,固然有這些領(lǐng)域進(jìn)入門(mén)檻高、競(jìng)爭(zhēng)壓力大的因素,但也與行業(yè)層面的創(chuàng)新機(jī)制仍沿用“摸著石頭過(guò)河”、一年一度找熱點(diǎn)而缺乏長(zhǎng)遠(yuǎn)規(guī)劃和長(zhǎng)期布局的做法相關(guān)。因此,促進(jìn)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新,要有攻堅(jiān)的勇氣和決心,要有長(zhǎng)遠(yuǎn)的目標(biāo)和規(guī)劃。只有這樣,才能從根本上推動(dòng)產(chǎn)業(yè)持續(xù)、快速、健康地發(fā)展。

  ARM公司全球業(yè)務(wù)拓展執(zhí)行副總裁Antonio Viana

  四大潛力市場(chǎng)值得關(guān)注

  2013年ARM公司認(rèn)為有四大市場(chǎng)極具潛力。首先是處理器市場(chǎng)。2007年在所有能夠接入互聯(lián)網(wǎng)的設(shè)備當(dāng)中,大概有2/3基于x86的架構(gòu),另外的1/3是ARM和Linux等。到2012年互聯(lián)網(wǎng)連接設(shè)備的出貨量已經(jīng)達(dá)到了16億臺(tái),X86只占到了25%,而其他3/4是由ARM和其他的一些架構(gòu)來(lái)分享。到2017年,我們預(yù)計(jì)整體的出貨量可以達(dá)到40億臺(tái)。

  其次是服務(wù)器領(lǐng)域。大規(guī)模數(shù)據(jù)中心是一個(gè)趨勢(shì),在處理能力提高的同時(shí),也對(duì)整個(gè)中心的功耗提出了要求。

  再次是網(wǎng)絡(luò)連接領(lǐng)域也可以看到非常巨大的機(jī)遇。我們預(yù)計(jì)到2017年移動(dòng)計(jì)算機(jī)和智能手機(jī)的數(shù)量將是現(xiàn)在的2倍,到2020年已安裝的互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備將達(dá)到500億臺(tái),2012年~2017年,移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)流量將增長(zhǎng)18倍。

  最后一個(gè)領(lǐng)域是圖形處理。對(duì)于系統(tǒng)級(jí)需要考慮CPU和GPU共同的設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)。



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