力旺電子與聯(lián)華電子擴大技術合作

　　全方位之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存硅智財供貨商力旺電子與世界一流的晶圓專工公司聯(lián)華電子日前共同宣布，雙方擴大技術合作，將力旺電子獨特開發(fā)之OTP (One-Time-Programmable embedded non-volatile memory ,單次可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存) 及MTP (Multiple-Times-Programmable embedded non-volatile memory, 多次可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存) 技術廣泛布建于聯(lián)華電子0.18微米至28奈米世代之制程平臺，布建范圍橫跨成熟與先進制程，不僅可提供客戶全方位之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案，并展現(xiàn)聯(lián)華電子掌握尖端制程優(yōu)勢，積極擴展eNVM全方位技術版圖之決心。

　　聯(lián)華電子與力旺電子自2006年開始展開了長期的合作，聯(lián)華電子將力旺電子單次可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術成功布建于其0.18微米以下之制程平臺，至今已創(chuàng)造許多佳績。力旺電子之eNVM技術應用相當廣泛，涵蓋智能型手機與平板計算機之電源管理芯片、高階液晶顯示器驅(qū)動芯片、觸控面板控制芯片、電源計量芯片、傳感器控制芯片、音訊編譯碼芯片與近場無線通訊芯片等各項主流消費性電子產(chǎn)品領域。此次擴展合作范圍，聯(lián)華電子除擴增采用力旺電子之OTP技術，更擴大導入MTP技術領域，將能以更完整之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存制程平臺，強化技術服務支持廣度，滿足更多不同客戶需求。搭配聯(lián)華電子在先進制程的布局，亦已為力旺電子在28、40奈米之制程平臺保留了絕佳的參與位置與發(fā)展舞臺。

　　力旺電子近年來致力于全方位的可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存之技術開發(fā)，目前產(chǎn)品線包括NeoBit、NeoFuse、NeoMTP、NeoFlash、NeoEE等系列性技術與硅智財，為業(yè)界少見能夠于OTP及MTP嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術領域，提供全方位完整布局之硅智財廠商。力旺電子MTP技術可適用各種不同產(chǎn)品應用，針對寫入次數(shù)小于10次之應用;中低容量，高寫入次數(shù)之應用;中高容量，高寫入次數(shù)之應用或多次可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術之應用等，力旺電子均能搭配各種應用之需求提供最適合之解決方案。且不論NeoBit、NeoFuse、NeoMTP、NeoFlash或者是NeoEE等技術，均保有與邏輯制程高度兼容之特性，制程簡單，易于延伸至各制程世代之特性，是晶圓代工廠有效快速布建eNVM制程平臺之最佳合作伙伴。

　　針對此技術研發(fā)與授權協(xié)議，聯(lián)華電子負責硅智財與設計支持的簡山杰副總表示：「聯(lián)華電子很高興擴展了與力旺電子自2006年以來的長期伙伴關系。聯(lián)華電子樂見力旺電子的OTP與MTP技術加入28奈米制程平臺，并且進一步提供許多特殊制程選擇給我們的客戶采用。借著為不同需求的客戶，提供更好更有競爭力的eNVM技術，我們可同時提升客戶現(xiàn)在與未來產(chǎn)品世代的系統(tǒng)單芯片設計之競爭實力?！?/p>

　　力旺電子總經(jīng)理沈士杰博士表示：「我們很高興能與長期重要策略合作伙伴聯(lián)華電子加深合作關系，秉持embedded wisely, embedded widely的核心精神，將公司核心技術全方位導入聯(lián)華電子之各項制程平臺，整合雙方之專業(yè)分工與研發(fā)能量，提供IC設計客戶性能卓越且質(zhì)量可靠之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存平臺，協(xié)助客戶持續(xù)掌握市場契機?！?/p>

　　展望未來，力旺電子與聯(lián)華電子的合作將能強化彼此競爭優(yōu)勢，以更多元的嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術以及高效能之制程平臺，擴展各制程世代應用領域的廣度與深度，配合客戶不同產(chǎn)品應用與容量的設計需求，提供更完整且全方位的嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術與生產(chǎn)服務，達成硅智財供貨商、晶圓代工廠以及客戶三贏的目標。