Vishay在2013中國(guó)電子展成都站將展出其最新的技術(shù)

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，將在6月20至22日成都世紀(jì)城新國(guó)際會(huì)展中心舉行的2013中國(guó)電子展成都站(夏季會(huì))上展出其全線技術(shù)方案。Vishay的展位在3號(hào)館A214，展示亮點(diǎn)是其最新的業(yè)界領(lǐng)先的創(chuàng)新產(chǎn)品，包括無(wú)源元件、二極管、功率MOSFET、功率IC和光電子產(chǎn)品。

　　在2013中國(guó)電子展上，Vishay Siliconix將展出在4.5V柵極電壓下最大導(dǎo)通電阻低至0.00135Ω的TrenchFET^® Gen IV MOSFET，提高效率的600V和650V E系列器件，以及采用PowerPAK^® SO-8L和8x8L封裝的50W前大燈照明LED驅(qū)動(dòng)。重點(diǎn)展示的電源IC包括3mm x 3mm DFN10封裝的28V可編程的保護(hù)智能負(fù)載開(kāi)關(guān)，5mm x 5mm封裝的高密度60A功率級(jí)，100V全橋PWM控制器功率級(jí)。

　　Vishay Semiconductors將展示多種二極管產(chǎn)品，包括SMPD封裝的45V～120V TMBS^® Trench MOS勢(shì)壘肖特基整流器和50V高電流密度器件，用于電動(dòng)汽車(chē)、UPS和太陽(yáng)能逆變器的Gen2 650 V FRED Pt^®超快二極管，以及FRED Pt 超快恢復(fù)整流器。

　　另外，Vishay Semiconductors的表面貼裝PAR^®和TRANSZORB^®瞬態(tài)電壓抑制器也讓人眼前一亮，還有白光高亮度、高功率LED模塊，高亮度0402和0603尺寸的ChipLED，以及全集成的接近和環(huán)境光傳感器等光電子產(chǎn)品。

　　Vishay的無(wú)源元件包括多種最新型電容器、電阻和電感器。頗值得一看的電阻有可在235℃下工作的Vishay Beyschlag高電流溫度保險(xiǎn)絲，Vishay Draloric 20kW不銹鋼功率電阻，以及采用模塑外殼的Vishay Dale Power Metal Strip^®電池電流采樣電阻。

　　主推的電容器包括Vishay Vitramon高頻RF和微波MLCC，可用于DC-link和AC應(yīng)用的高峰值電流Vishay Roederstein薄膜電容器，以及Vishay ESTA功率電容器。主推的電容器還包括Vishay Sprague MICROTAN^®固鉭片式電容器和Vishay液鉭電容器。

　　Vishay Dale將展出薄型、高電流IHLP^®器件等電感器，用于LED SEPIC轉(zhuǎn)換器電路的IHCL耦合電感器，IWAS無(wú)線充電的Rx線圈。

　　除此以外，Vishay還將在2013中國(guó)電子展的展位上進(jìn)行兩項(xiàng)產(chǎn)品演示。Vishay Siliconix將展示對(duì)優(yōu)化了熱和電性能的SiZF904DT PowerPAIR^® TrenchFET IV功率MOSFET。Vishay Semiconductors將系統(tǒng)演示采用低正向電壓和快速導(dǎo)通時(shí)間的TMBS整流器，以及高阻抗和減少信號(hào)損失的低CJ TVS產(chǎn)品。