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聯(lián)電宣布與IBM共同開發(fā)10奈米CMOS制程

—— 拓展了雙方于2012年簽訂14納米FinFET合作協(xié)議
作者: 時(shí)間:2013-06-19 來(lái)源:semi 收藏

  晶圓代工大廠(UMC)日前與IBM 共同宣布,將加入IBM技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟,共同開發(fā)10納米制程技術(shù)。與IBM兩家公司此次的協(xié)議,拓展了雙方于2012年簽訂14納米FinFET合作協(xié)議。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/146516.htm

  擁有IBM的支援與know-how,聯(lián)電將可持續(xù)提升其內(nèi)部自行研發(fā)的14納米FinFET 技術(shù),針對(duì)行動(dòng)運(yùn)算與通訊產(chǎn)品,提供富競(jìng)爭(zhēng)力的低耗電優(yōu)化技術(shù)。雙方計(jì)劃開發(fā) 10納米制程基礎(chǔ)技術(shù),以滿足聯(lián)電客戶的需求。聯(lián)電將指派工程團(tuán)隊(duì)加入位于美國(guó)紐約州阿爾巴尼(Albany, New York)的10納米研發(fā)計(jì)劃,而聯(lián)電14納米FinFET與10納米未來(lái)的制造,則將于該公司位在臺(tái)灣南科的研發(fā)中心進(jìn)行。

  IBM半導(dǎo)體研發(fā)副總Gary Patton表示:「IBM聯(lián)盟成立至今已逾十年,聯(lián)盟夥伴可整合運(yùn)用我們的專業(yè)知識(shí),團(tuán)隊(duì)研究合作與創(chuàng)新的技術(shù)研發(fā),藉此滿足對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體應(yīng)用產(chǎn)品與日俱增的需求。聯(lián)華電子的加入,將使聯(lián)盟的實(shí)力更加強(qiáng)大?!?/p>

  聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)顏博文表示:「IBM為眾所公認(rèn)的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。聯(lián)華電子十分高興與IBM在先進(jìn)制程領(lǐng)域攜手合作,貢獻(xiàn)我們多年來(lái)開發(fā)高競(jìng)爭(zhēng)力制造技術(shù)所累積的經(jīng)驗(yàn)。身為世界頂尖的晶圓專工廠之一,聯(lián)華電子肩負(fù)著適時(shí)推出尖端制程,以實(shí)現(xiàn)客戶次世代晶片設(shè)計(jì)的使命與承諾。我們期待與IBM密切合作,借重其深厚的技術(shù)專業(yè)來(lái)縮短我們10納米與FinFET 的研發(fā)周期,為聯(lián)華電子與我們的客戶締造雙贏。」



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