聯(lián)電攜手新思 14nm設計定案采用Galaxy平臺

　　聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與新思科技(Synopsys)(SNPS-US)共同宣布，兩家公司的合作已獲得成果，采用新思科技DesignWare邏輯庫的IP組合，和Galaxy實作平臺的一部分寄生StarRC萃取方案，成功完成聯(lián)電第一個14奈米FinFET制程驗證工具的設計定案。

　　在雙方持續(xù)進展中的合作關系上，采用新思科技DesignWare矽智財解決方案來認證聯(lián)電14奈米FinFET制程，可視為是雙方此次合作的第一座里程碑。

　　聯(lián)電表示，這次合作的第一個里程碑，可加速聯(lián)電14奈米FinFET制程矽智財與相關設計的認證。有助于促進聯(lián)電FinFET制程，獲得更快速及更高電源效能的系統(tǒng)單晶片采用。

　　聯(lián)電市場行銷副總郭天全表示，此次設計定案的成功，是聯(lián)電技術上的重要里程碑，此次合作的成果將可大大嘉惠設計公司，為其帶來功耗、效能、成本上的好處。