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從硅片到軟件的嵌入系統(tǒng)

作者: 時間:2012-12-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

低功耗設(shè)計需要注意很多非傳統(tǒng)性因素,從工藝技術(shù),直到在微控制器平臺上運(yùn)行的。在級做仔細(xì)檢查可揭示出決定微控制器能效的三個主要參數(shù):有源模式功耗;待機(jī)功耗;以及工作周期,后者決定了兩種狀態(tài)上所花時間的比率,而這個比率則取決于的行為。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/148163.htm

  低功耗待機(jī)狀態(tài)可以使一只微控制器看似非常高能效,但只有考慮了影響到有源功耗的所有因素后,才能證明其最終性能。

  低功耗待機(jī)狀態(tài)可以使一只微控制器看似非常高能效,但只有考慮了影響到有源功耗的所有因素后,才能證明其最終性能。鑒于這個和其它原因,工藝技術(shù)、IC架構(gòu)以及結(jié)構(gòu)之間的權(quán)衡就是一些決策問題,有一些微妙和有時無法預(yù)期的結(jié)果。一個MCU中各功能塊相互結(jié)合的方式,對整體能效有顯著的影響。即使硬件實(shí)現(xiàn)上看似微小的改變,也可能致使一個生命周期內(nèi)的總能耗發(fā)生巨大的波動。

  低功耗應(yīng)用

  舉例來說,讀表與報警系統(tǒng),通常一節(jié)電池要供10年電。某只傳感器讀取功耗的少許增加(在產(chǎn)品的生命周期中,這種讀數(shù)動作要發(fā)生上億次),就可能使產(chǎn)品的實(shí)際現(xiàn)場壽命減少數(shù)年時間。一只簡單的煙霧警報器,每秒要探測一次空氣中的煙塵粒子,在其生命周期內(nèi)完成3.15億次讀取。

  一只簡單煙霧報警器的活動比率(或工作周期)還相對算低的。每只傳感器讀數(shù)時可能花費(fèi)時間不到數(shù)百毫秒就能完成,大部分時間花在當(dāng)MCU喚醒ADC以及其它敏感模擬元件時的校準(zhǔn)和安定上,以使它們達(dá)到一個穩(wěn)定的工作點(diǎn)。在本例中,工作周期是設(shè)計的關(guān)鍵,這個設(shè)計在約99.88%的時間中是處于不活動狀態(tài)。

  傳統(tǒng)的煙霧警報器還算比較簡單??紤]一個更復(fù)雜的RF設(shè)計,它有一個傳感器網(wǎng)格,將讀數(shù)結(jié)果轉(zhuǎn)發(fā)給一個主控應(yīng)用。傳感器需要從一個主結(jié)點(diǎn)聆聽活動情況,這樣一方面可以通告說自己仍然在網(wǎng)格網(wǎng)絡(luò)中,或者將最新捕捉的信息發(fā)送給路由器。不過,增加活動可能并不影響整個工作周期;相反,采用更高性能的器件,可以在每次激活期間完成更多功能。由于更先進(jìn)架構(gòu)與半導(dǎo)體技術(shù),使得處理速度的增加成為可能,較快器件可以提供更高的能效,而較慢器件則要運(yùn)行更長周期。重點(diǎn)在于了解工藝技術(shù)、MCU架構(gòu),以及軟件實(shí)現(xiàn)之間的交互作用。

  硅選擇

  CMOS能耗數(shù)據(jù)。 幾乎所有MCU的實(shí)現(xiàn)都使用了CMOS技術(shù)(圖1)。任何激活態(tài)下邏輯電路的功耗都可以用公式CV2f表示,其中C是器件內(nèi)開關(guān)電路路徑的總電容,V是電源電壓,而f是工作頻率。電壓和電容都是所采用工藝技術(shù)的因素。過去三十年以來,CMOS邏輯的芯片工作電壓已經(jīng)從12V降到不足2V,原因是晶體管尺寸的縮小。鑒于電壓在有源功耗的公式中是一個二次項,因此電壓的降低有明顯的作用。

CMOS技術(shù)

  盡管電容項是線性的,但摩爾定律的縮小也非常有利于降低其整體水平。對于一個給定的邏輯功能,更先進(jìn)的工藝可提供較低電容,從而獲得較前代更低的功耗。另外,先進(jìn)的設(shè)計技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)時鐘門控,這樣只有完成實(shí)際任務(wù)的電路才工作,從而降低了總體開關(guān)頻率。

  與其它技術(shù)相比,CMOS顯著降低了浪費(fèi)的能量;但是,泄漏電流仍然存在。與有源功耗相反,泄漏功耗會隨摩爾定律尺度的縮小而增加,在任何低功耗應(yīng)用中都要考慮它的因素,因為對于一個低工作周期系統(tǒng),大部分時間是處于非激活狀態(tài)。但對有源功耗,電路設(shè)計就對實(shí)際泄漏有重要影響。與時鐘門控類似,電源門控可以大大改善泄漏的效應(yīng),使更先進(jìn)工藝結(jié)點(diǎn)成為低工作周期系統(tǒng)的較好選擇,盡管理論上較老工藝技術(shù)能夠提供更低的泄漏數(shù)值。

  適合的工藝技術(shù)。對每組特性集合都存在著一種適當(dāng)?shù)墓に嚰夹g(shù)。答案并非簡單地取決于一種有最低理論泄漏值的工藝技術(shù),因為器件在睡眠模式下花費(fèi)的時間很多。在睡眠模式下,可以關(guān)閉MCU中大部分的電源,從公式中拿掉泄漏成份。當(dāng)電路活動時,泄漏是一個較大的問題,但先進(jìn)晶體管的優(yōu)勢在于能以高得多的效率切換,從而可以輕易地抵消這個問題。

  舉例來說,90 nm工藝的泄漏電流要比專用的低功耗180 nm工藝高出大約五倍。有源模式功耗要低四倍,但其基數(shù)是一個大得多的數(shù)值。

  例如一個180 nm MCU,其有源耗電為40 mA,深度睡眠模式耗電為60 nA,與這些功率水平相比,90 nm實(shí)現(xiàn)的功率水平能夠?qū)⒂性春碾娊抵?0 mA,但睡眠模式電流較高,為300 nA.對90 nm實(shí)現(xiàn)來說,MCU必須在0.0008%的時間里為活動狀態(tài),才能獲得更高的總體能效。換句話說,如果系統(tǒng)每天只活動工作1秒,則90 nm版的能效大約是其180 nm對手的1.5倍。結(jié)論是,在選擇工藝尺度時,關(guān)鍵在于了解應(yīng)用的工作周期(圖2)。

應(yīng)用的工作周期

  一旦選擇好了合適的工作技術(shù),IC設(shè)計者就可以選擇進(jìn)一步優(yōu)化能源性能。當(dāng)時鐘門控最初問世時,它只在一個相對粗糙的水平上使用。時鐘門控增加了一個系統(tǒng)的復(fù)雜性,因為電路設(shè)計者需要知道在任何確定的時間時,哪個邏輯路徑需要時鐘信號。

  時鐘分配。大多數(shù)MCU實(shí)現(xiàn)都采用一種層次式結(jié)構(gòu),將時鐘信號和相應(yīng)的電壓水平分配到IC的各個部分。各個功能單元(如指令處理塊與外設(shè))被劃分為組,每組都饋給一個獨(dú)立的時鐘樹和電源網(wǎng)絡(luò)。一個分頻器或復(fù)用器從一個公共時鐘源獲得每一組的時鐘信號。同樣,如果這些組需要不同的電壓(這種方案日益普遍),則一組功率晶體管和穩(wěn)壓器會為每組外設(shè)提供電壓。

  為盡量減少設(shè)計的復(fù)雜性,MCU采用了一種相對簡單的時鐘門控方法,只要一組中的功率單項均未激活,則會關(guān)斷整個時鐘樹。不過,這種方法會向那些在活動組中不工作的邏輯送入時鐘。例如,如果當(dāng)前指令是一個分支指令,CPU核心中的加法單元也會收到一個時鐘。如前所述,時鐘信號在加法器中觸發(fā)的轉(zhuǎn)換會使功耗增加CV2f倍。

  設(shè)計工具與技術(shù)的進(jìn)步已能夠使時鐘門控的粒度增加到某個點(diǎn),如果外設(shè)或功率單元在該周期內(nèi)不工作,就不會收到時應(yīng)用的工作周期鐘信號。

  電壓縮放提供了更進(jìn)一步的節(jié)能潛力,它能在必要時,為特定一組功能單元提供一個較低的電壓。為一組功率單元或外設(shè)提供適當(dāng)電壓的關(guān)鍵在于片上穩(wěn)壓器或dc/dc轉(zhuǎn)換器的實(shí)現(xiàn),以及監(jiān)控電路的使用,確保IC工作在所需要的電壓下。

  電源的考慮。片上穩(wěn)壓器為系統(tǒng)設(shè)計者提供了更高的靈活性,從而能從一只電池榨取更多電能。例如,片上開關(guān)降壓轉(zhuǎn)換器(如Silicon Labs公司的SiM3L1xx MCU產(chǎn)品)可以從一只3.6V工業(yè)電池獲得輸入,以高于80%的效率將其轉(zhuǎn)換為1.2V.很多MCU沒有這種特性,而是采用線性元件降壓到合適電平,會有大量的消耗。在高級的實(shí)現(xiàn)中,當(dāng)電池放電到某個水平,轉(zhuǎn)換器無法做轉(zhuǎn)換工作時,降壓穩(wěn)壓器可以關(guān)閉。因此,電源可以在設(shè)備的整個生命周期上做到優(yōu)化能效,一切均在軟件控制下。

軟件的決策

  性能的縮放。高能效應(yīng)用的實(shí)現(xiàn)有賴于軟件的設(shè)計,軟件要以最適當(dāng)?shù)姆绞绞褂糜布Y源。什么樣才是適合,這不僅取決于應(yīng)用,而且要看硬件實(shí)現(xiàn)。同樣,硬件越靈活(包括CPU、時鐘、電壓和存儲器使用),開發(fā)者可以獲得的節(jié)能潛力也越大。能感知硬件的軟件工具為系統(tǒng)工程師提供了更高的認(rèn)知度,使他們能夠更多地了解到哪種更高節(jié)能是可實(shí)現(xiàn)的。

  一種選擇是采用動態(tài)電壓縮放,如圖3和圖4所示。使該技術(shù)得以實(shí)現(xiàn)的是片上dc/dc轉(zhuǎn)換器與性能監(jiān)控電路,當(dāng)應(yīng)用不需要以最高速度執(zhí)行指令時,它們提供了降低電壓的能力。在這些情況下,系統(tǒng)就工作在較低的功耗下。最終的益處是一個輸入電壓的函數(shù),可以在產(chǎn)品的生命周期內(nèi)變化。圖中顯示了無電壓縮放(VDD固定)、SVS(靜態(tài)電壓縮放),以及AVS(動態(tài)電壓縮放)之間的相對差別。


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關(guān)鍵詞: 系統(tǒng) 嵌入 軟件 硅片

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