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基于ARM的鋼鐵材料裂紋電磁無損檢測電路設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2010-03-15 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
3.4 系統(tǒng)控制部分
S3C2440A是近年來推出的一款920T架構(gòu)的高性能、低功耗的嵌入式Soc處理器。其典型主頻400 MHz,最高可達(dá)533 MHz,CPU內(nèi)部集成SDRAM控制器、LCD控制器、4通道DMA、3通道UART、I2C總線、I2S總線、SD接口、PWM定時(shí)器、觸摸屏接口、8通道10位A/D控制器、camera接口等,非常方便系統(tǒng)開發(fā),因此應(yīng)用十分廣泛[4]。在本設(shè)計(jì)中,S3C2440A控制芯片連接A/D轉(zhuǎn)換器、外接控制鍵盤、液晶顯示和存儲電路。
3.4.1 A/D轉(zhuǎn)換電路
A/D轉(zhuǎn)換器選用TI公司的ADS1110芯片。ADS1110是精密的連續(xù)自校準(zhǔn)△-∑型A/D轉(zhuǎn)換器,帶有差分輸入和高達(dá)16位的分辨率,提供內(nèi)置的2.048 V的基準(zhǔn)電壓,使用可兼容的I2C串行接口,可以在2.7 V至5.5 V的單電源下工作,ADS1110最高可以每秒采樣240次/s進(jìn)行轉(zhuǎn)換,片內(nèi)可編程的增益,放大器PGA提供高達(dá)8倍的增益并且允許以高分辨率對較小的信號進(jìn)行測量,使用靈活,可擴(kuò)展性強(qiáng)。ADS1110在設(shè)計(jì)中的應(yīng)用電路如圖4所示。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/152033.htm


本設(shè)計(jì)使用了單端輸入的方式,因此在信號輸入前,使用了一個(gè)加法電路保證輸入端電壓IN為正;同時(shí)為了保護(hù)ADS1110,防止過壓和瞬間電流沖擊,在輸入端設(shè)計(jì)了分壓和限流保護(hù)電路。I2C接口的數(shù)據(jù)端SDA和時(shí)鐘端SCL分別與S3C2440X控制器的M9、U8管腳相接,管腳配置成I2C工作模式。
3.4.2 鍵盤及其他控制電路
鍵盤電路的設(shè)計(jì)采用ZLG7290控制芯片[5],設(shè)計(jì)為4×4矩陣鍵盤,通過I2C總線與S3C2440A控制器進(jìn)行連接,按照I2C總線協(xié)議的要求,信號線SCL和SDA必須分別加上拉電阻,其典型值是10kΩ,鍵盤控制電路如圖5所示。鍵盤主要完成設(shè)置硬件系統(tǒng)各項(xiàng)功能的參數(shù),包括選擇不同的脈沖電流值、工作模式、基本參數(shù)設(shè)置等,并且為了適應(yīng)今后硬件系統(tǒng)功能的擴(kuò)展,特別預(yù)留了F0~F45個(gè)按鍵作為候補(bǔ)功能按鍵使用。響應(yīng)通過延時(shí)處理程序,進(jìn)行按鍵的中斷完成,并且在處理程序中判斷按鍵是否彈起,保證每一次按鍵的有效性和準(zhǔn)確性,鍵盤按鍵的延長時(shí)間設(shè)定為50 ms。


設(shè)計(jì)的外部存儲器采用2 MB的NorFlash (SST39VF160)、64 MB的NandFlsh (K9F1208)、2片32MB的SDRAM (HY57V56162 0FTP),其中NorFlash用于存放執(zhí)行代碼,NandFlsh用于存儲數(shù)據(jù)參數(shù)值,SDRAM用于存放運(yùn)行代碼。
顯示電路由外接液晶屏構(gòu)成,因?yàn)镾3C2440A內(nèi)置了LCD控制器,并且支持STN液晶屏與TFT液晶屏,尺寸從3.5寸到12.1寸,屏幕分辨率可以達(dá)到1 024×768像素。為了簡化電路,充分發(fā)揮的性能,采用3.5寸TFT液晶屏,使用S3C2440A內(nèi)置了LCD控制器直接進(jìn)行控制。
聲光報(bào)警電路由峰鳴器和紅色發(fā)光二極管構(gòu)成。當(dāng)檢測到損傷時(shí),驅(qū)動蜂鳴器發(fā)聲,報(bào)警的同時(shí)LED燈閃亮。
4 測試實(shí)驗(yàn)
試驗(yàn)選用形狀相同的30根鋼管試樣進(jìn)行分選,采用最小分段二乘法對A/D采樣的數(shù)值進(jìn)行算法處理,為達(dá)到試驗(yàn)效果,其中部分鋼管人為造成各種表面,1號工件為理化檢測的標(biāo)準(zhǔn)工件。試驗(yàn)表明本設(shè)計(jì)的電路系統(tǒng)對件表面損傷的檢測非常有效。選取部分鋼件,試驗(yàn)結(jié)果如表1所示,該試驗(yàn)可以使用多個(gè)性能指標(biāo)進(jìn)行標(biāo)樣。為了說明儀器檢測數(shù)據(jù)的差異性,表中的測量值為儀器的直接測量值。


測量顯示數(shù)據(jù)可以看出,測量值大于標(biāo)準(zhǔn)1號工件值32 200時(shí)表示試樣無裂紋,當(dāng)測量值小于標(biāo)準(zhǔn)1號工件值時(shí)表示試樣有裂紋,從而驗(yàn)證了儀器損傷后應(yīng)力發(fā)生變化,使得初始磁導(dǎo)率值下降, 實(shí)驗(yàn)達(dá)到了預(yù)期的效果。
本系統(tǒng)在上,以微處理器為中心,充分利用了ARM處理器的豐富資源,簡化了硬件設(shè)計(jì)。尤其是在激磁產(chǎn)生和人機(jī)接口部分,通過使用ARM處理器的PWM、I2C以及LCD控制器,使相關(guān)電路大大簡化,并且易于軟件控制。設(shè)計(jì)電路簡單、界面友好、各功能實(shí)現(xiàn)模塊化,具有良好的開放性,有利于功能擴(kuò)展和系統(tǒng)升級。


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