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創(chuàng)新的極紫外光刻技術(shù)極大地造福了半導(dǎo)體制造

  • 沖繩科學(xué)技術(shù)研究所（OIST）的Tsumoru Shintake教授提出了一種超越半導(dǎo)體制造標(biāo)準(zhǔn)的極紫外（EUV）光刻技術(shù)?；诖嗽O(shè)計的EUV光刻可以使用更小的EUV光源，降低成本并顯著提高機(jī)器的可靠性和壽命。它的功耗也不到傳統(tǒng)EUV光刻機(jī)的十分之一，有助于半導(dǎo)體行業(yè)變得更加環(huán)保可持續(xù)。通過解決兩個以前被認(rèn)為在該領(lǐng)域不可克服的問題，這項技術(shù)得以實現(xiàn)。第一個問題涉及一種僅包含兩個鏡子的全新光學(xué)投影系統(tǒng)。第二個問題涉及一種新的方法，可以有效地將EUV光引導(dǎo)到平面鏡（光掩模）上的邏輯圖案，而不會阻擋光學(xué)路徑。E
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中國團(tuán)隊研究解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙

  • 中國科學(xué)家們研發(fā)出一種超薄半導(dǎo)體材料，這一進(jìn)展可能會帶來更快、更節(jié)能的微芯片。由北京大學(xué)的劉開輝、人民大學(xué)的劉燦和中國科學(xué)院物理研究所的張光宇領(lǐng)導(dǎo)的團(tuán)隊，開發(fā)了一種制造方法，可以生產(chǎn)厚度僅為0.7納米的半導(dǎo)體材料。研究人員的發(fā)現(xiàn)于7月5日發(fā)表在同行評議期刊《科學(xué)》上，解決了減少傳統(tǒng)硅基芯片尺寸的關(guān)鍵障礙——隨著設(shè)備的縮小，硅芯片遇到了影響其性能的物理極限。這些科學(xué)家探討了二維（2D）過渡金屬二硫化物（TMDs）作為硅的替代品，其厚度僅為0.7納米，而傳統(tǒng)硅芯片的厚度通常為5-10納米。TMDs還消耗更少的
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美國國家實驗室證明半導(dǎo)體可以在核反應(yīng)堆附近生存

  • 2024年6月25日，美國國家核能辦公室發(fā)表聲明，橡樹嶺國家實驗室（ORNL）的一項新研究證明氮化鎵半導(dǎo)體可以在核反應(yīng)堆核心附近的惡劣環(huán)境中成功存活。研究發(fā)現(xiàn)這一發(fā)現(xiàn)可能使得在運行中的反應(yīng)堆中將電子元件放置得更靠近傳感器成為可能，從而實現(xiàn)更精確的測量和更緊湊的設(shè)計。這些研究結(jié)果可能有一天會導(dǎo)致在核反應(yīng)堆中使用無線傳感器，包括目前正在開發(fā)的先進(jìn)小型模塊化和微型反應(yīng)堆設(shè)計。更靠近核心傳感器用于從核反應(yīng)堆中收集信息，可以在設(shè)備故障發(fā)生前識別潛在問題。這有助于防止計劃外停機(jī)，每天可能導(dǎo)致公司損失數(shù)百萬美元的發(fā)電收
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一種研究半導(dǎo)體缺陷的新實驗方法

  • 在凝聚態(tài)物理實驗室（PMC*），一個團(tuán)隊成功確定了與半導(dǎo)體中原子排列缺陷存在相關(guān)的自旋依賴電子結(jié)構(gòu)。這是首次測量到這種結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果發(fā)表在《物理評論快報》上。研究像所有晶體材料一樣，半導(dǎo)體由在空間中完美規(guī)則排列的原子組成。但實際上材料從未完美，即使使用最先進(jìn)的工藝進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)，半導(dǎo)體仍然存在缺陷。這些缺陷會改變材料的局部電子結(jié)構(gòu)，可能產(chǎn)生負(fù)面影響，也可能對應(yīng)用有益。這就是為什么理解它們背后的基本物理原理如此重要。這正是PMC團(tuán)隊所完成的工作，得益于阿加莎·烏利巴里在其論文期間的研究，并發(fā)表在《物理評論快
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一種全新的無稀土金屬磁體即將徹底改變電動機(jī)的未來

  • 對于社會要過渡到電氣化世界，許多技術(shù)（如電動汽車電機(jī)和電網(wǎng)電池）需要普及。這些技術(shù)許多都需要稀土金屬，而這些金屬在成本上不僅昂貴，還對環(huán)境和社會有害。上周，一家總部位于英國的公司宣布，他們利用人工智能在僅僅三個月內(nèi)成功開發(fā)出一種完全不使用稀土金屬的磁體。根據(jù)該公司表示，這比正常速度快了大約200倍。人工智能已經(jīng)被用于發(fā)現(xiàn)綠色能源過渡中的其他關(guān)鍵領(lǐng)域的材料，顯示出人工智能可以成為對抗氣候變化的強(qiáng)大盟友。眾所周知，世界需要迅速擺脫化石燃料。人類綠色能源快速轉(zhuǎn)型的一個大問題是，將來為電動機(jī)和電池提供動力需要稀土
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半導(dǎo)體過熱問題會通過量子波解決嗎？

  • 摘要研究人員開發(fā)了一項技術(shù)，解決了下一代半導(dǎo)體技術(shù)、自旋電子學(xué)和軌道電子學(xué)的缺點。韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）物理系教授金世權(quán)和浦項科技大學(xué)（POSTECH）物理系教授李賢宇領(lǐng)導(dǎo)的聯(lián)合研究團(tuán)隊，成功觀察到了可以在不產(chǎn)生電子熱的情況下傳輸信息的“磁振子”新運動。這一突破于6月17日公布。研究背景傳統(tǒng)的信息處理技術(shù)由于使用電子，在通過導(dǎo)體時因電阻產(chǎn)生熱量而損失大量能量。自旋電子學(xué)利用電子的電荷和磁自旋，而軌道電子學(xué)則利用電子軌道的位置，但兩者都面臨過熱問題。最近，人們希望通過使用稱為“磁振子”的量子波來解決這
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麻省理工學(xué)院發(fā)現(xiàn)超級半導(dǎo)體在900華氏度下存活48小時

  • 麻省理工學(xué)院氮化鎵被譽(yù)為下一代半導(dǎo)體，未來有可能取代硅，但對這種材料的研究仍處于初級階段。因此，麻省理工學(xué)院（MIT）及其他美國研究機(jī)構(gòu)的研究人員決定將其推向新的高度，并在900華氏度以上的溫度下測試它。人類對太陽系行星的探索一直集中在遠(yuǎn)離太陽的行星。例如，金星的溫度極其高，可以瞬間融化鉛，我們的航天器在那兒也無法存活片刻。即使研究人員發(fā)送一個具有耐熱外殼的航天器，基于硅的車載電子設(shè)備也會在極端溫度下失效，使整個任務(wù)毫無意義。作為一種材料，氮化鎵已知能承受超過900華氏度（500攝氏度）的溫度，但科學(xué)家們
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科學(xué)家使用“DNA折紙”創(chuàng)建用于先進(jìn)半導(dǎo)體的金剛石晶格

  • 使用DNA折紙，LMU研究人員構(gòu)建了一個周期為數(shù)百納米的金剛石晶格
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中國正在研發(fā)一款芯片，其尺寸相當(dāng)于整個硅晶圓，以規(guī)避美國對超級計算機(jī)和人工智能的制裁

  • 中國科學(xué)家一直在研發(fā)一款整個硅晶圓大小的計算機(jī)處理器，以規(guī)避美國的制裁 該團(tuán)隊研發(fā)的Big Chip利用硅晶圓尺寸的集成來規(guī)避光刻機(jī)的區(qū)域限制一塊由整個硅晶圓構(gòu)建的大型集成電路可能是中國計算機(jī)科學(xué)家一直在尋找的解決方案，因為他們設(shè)法繞過美國的制裁，同時提高處理器的性能。 由于受到美國實施的限制，中國科學(xué)家在開發(fā)超級計算機(jī)和人工智能等方面不得不尋找新的解決方案，因為他們無法獲得新型先進(jìn)芯片。 最新的創(chuàng)新是一款處理器，早期版本名為“浙江”，由中國科學(xué)院計算技術(shù)研究所的一支團(tuán)隊開發(fā)，由副教授許浩博和教授孫
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松下承認(rèn)數(shù)據(jù)造假數(shù)十年：不停止出貨也不進(jìn)行召回

  • 12日，松下集團(tuán)旗下從事電子零部件業(yè)務(wù)的松下工業(yè)公司負(fù)責(zé)人在記者會上鞠躬道歉，承認(rèn)在向第三方機(jī)構(gòu)申請產(chǎn)品品質(zhì)認(rèn)證的過程中，存在篡改測試數(shù)據(jù)等違規(guī)行為。松下工業(yè)稱，當(dāng)時為了獲得相關(guān)認(rèn)證，對用于汽車、家電等產(chǎn)品的電子零部件材料，在阻燃性也就是材料的抗燃燒特性等方面進(jìn)行了數(shù)據(jù)造假。此外，該公司還長期生產(chǎn)并銷售著與獲得認(rèn)證時材料成分不同的產(chǎn)品，這一做法同樣違規(guī)。據(jù)報道，部分違規(guī)行為最早開始于上世紀(jì)80年代，共涉及該公司位于日本國內(nèi)外的7家工廠，違規(guī)產(chǎn)品種類多達(dá)52種，客戶公司在全球累計達(dá)到約400家，不過是否涉及
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研究人員成功創(chuàng)建了世界上第一塊由石墨烯制成的功能性半導(dǎo)體

  • 研究人員在美國佐治亞理工學(xué)院成功創(chuàng)建了世界上第一塊由石墨烯制成的功能性半導(dǎo)體，石墨烯是由最強(qiáng)結(jié)合力的碳原子單層組成的材料。半導(dǎo)體是在特定條件下導(dǎo)電的材料，是電子設(shè)備的基礎(chǔ)組件。該團(tuán)隊的突破為一種新型電子技術(shù)打開了大門。這一發(fā)現(xiàn)正值硅，即幾乎所有現(xiàn)代電子設(shè)備都由其制成的材料，面臨著日益迅速的計算和更小的電子設(shè)備的挑戰(zhàn)。佐治亞理工學(xué)院物理學(xué)教授Walter de Heer領(lǐng)導(dǎo)了一支研究團(tuán)隊，該團(tuán)隊總部位于美國佐治亞州亞特蘭大市和中國天津，成功制造出一種與傳統(tǒng)微電子加工方法兼容的石墨烯半導(dǎo)體，這對于硅的任何可行
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臺積電（TSMC）2納米技術(shù)成本飆升或影響人工智能芯片新興市場

  • 隨著2023年接近尾聲，臺灣半導(dǎo)體制造公司（TSMC）正準(zhǔn)備看到其領(lǐng)先半導(dǎo)體制造工藝的成本增加。 TSMC目前量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝是3納米半導(dǎo)體設(shè)計技術(shù)，一份在臺灣媒體引述的最新報告猜測，未來3納米和2納米節(jié)點將會看到顯著的成本增加。這則新聞?wù)?023年度假季市場關(guān)閉之際，分析師報告稱，這些潛在的成本增加可能會影響蘋果公司的高端和低端技術(shù)設(shè)備的利潤。據(jù)分析師稱，TSMC的2納米晶圓可能每片高達(dá)3萬美元 今天的報告非常有趣，因為它重復(fù)了2022年臺灣芯片制造商出售的3納米芯片的晶圓成本估算。3納米制造工藝是
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?半導(dǎo)體材料市場——2024年將有更好的發(fā)展

  • 盡管2023年經(jīng)濟(jì)下滑，但材料需求和市場增長仍在上升。加利福尼亞州圣地亞哥：TECHCET——一家提供半導(dǎo)體供應(yīng)鏈業(yè)務(wù)和技術(shù)信息的電子材料咨詢公司——宣布，預(yù)計2024年半導(dǎo)體材料市場將反彈，增長近7%，達(dá)到740億美元。由于整體半導(dǎo)體行業(yè)放緩和晶圓開工量下降，2023年市場收縮了3.3%，之后出現(xiàn)了反彈。展望未來，預(yù)計2023年至2027年半導(dǎo)體材料市場將以超過5%的復(fù)合年增長率增長。到2027年，TECHCET預(yù)計市場將達(dá)到870億美元或以上，新的全球晶圓廠產(chǎn)量增加將帶來潛在的更大市場規(guī)模。盡管202
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Google DeepMind推出GNoME：一種新的深度學(xué)習(xí)工具，通過預(yù)測新材料的穩(wěn)定性，顯著提高了發(fā)現(xiàn)速度和效率

  • 無機(jī)晶體對許多當(dāng)代技術(shù)至關(guān)重要，包括計算機(jī)芯片、電池和太陽能電池板。每個新的、穩(wěn)定的晶體都是通過數(shù)月的細(xì)致實驗得出的，而穩(wěn)定的晶體對于啟用新技術(shù)至關(guān)重要，因為它們不會溶解。研究人員進(jìn)行了昂貴的反復(fù)試驗，但結(jié)果有限。他們通過修改現(xiàn)有晶體或嘗試其他元素組合來尋找新的晶體結(jié)構(gòu)。在過去的十年里，由Materials Project等主導(dǎo)的計算方法發(fā)現(xiàn)了28,000種新材料。直到現(xiàn)在，新興的人工智能引導(dǎo)技術(shù)可靠地預(yù)測實驗可行的材料的能力一直是一個主要限制。來自勞倫斯伯克利國家實驗室和Google DeepMind的
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下一代半導(dǎo)體：金剛石器件顯示出最高的電壓

  • 為了在 2050 年實現(xiàn)世界碳中和的目標(biāo)，電子材料必須發(fā)生根本性的變化，以創(chuàng)建更可靠、更有彈性的電網(wǎng)。 鉆石可能是女孩最好的朋友，但它也可能是維持社會電氣化所需的解決方案，以在未來 30 年實現(xiàn)碳中和。伊利諾伊大學(xué)厄巴納-香檳分校的研究人員開發(fā)了一種由金剛石制成的半導(dǎo)體器件，與之前報道的金剛石器件相比，該器件具有最高的擊穿電壓和最低的漏電流。 隨著世界向可再生能源過渡，這種設(shè)備將實現(xiàn)所需的更高效的技術(shù)。據(jù)估計，目前全球50%的電力由功率器件控制，預(yù)計不到十年，這一數(shù)字將增至80%，同時，電力需求將增加50
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