NAND閃存領跑存儲器
iPod Nana攪局
美國蘋果公司的iPod MP3攪動了全球半導體業(yè),采用NAND閃存的MP3成了2005年全球半導體業(yè)的最大亮點。按數量分析,道理似乎并不充分,2005年蘋果公司銷售MP3計共3200萬臺,累計才4200萬臺。按每臺300美元計,至多100多億美元的銷售額,其中消費的NAND閃存才幾十億美元。
據IC Insight報導,2005年NAND閃存增加64%,達106億美元,而NOR閃存則降13%,為80億美元。總計,全球閃存在2005年增加19%達186億美元。估計這是NAND+NOR的總數。預計2006年全球NAND閃存將續(xù)增30%,達138億美元,占全球半導體市場2547億的5.4%。
盡管,NAND閃存市場還構不成對全球半導體業(yè)有什么巨大影響,但由于2005年全球半導體業(yè)確實沒有太多的亮點,所以“山中無老虎,猴子稱大王”,NAND成為閃亮點,全球頂級半導體大廠幾乎都摻和了進去。目前NAND閃存大廠以三星為主,其后依次為東芝、海力士、瑞薩、美光、意法和英飛凌等(圖1)。
圖1 2005年世界NAND閃存大廠
利潤大增、銷售迅速上升以及股票價格勁揚,NAND成為目前半導體產業(yè)中最賺錢的行業(yè),三星當之無愧是這場戲的主角,海力士成了“大紅人”,年成長近5倍,美光規(guī)模小,更增長了17倍。頭號芯片巨人英特爾看得眼紅,準備調整,打算舍棄曾保持第一的NOR閃存,而加入NAND產品陣營。
NOR閃存主要用于數碼相機、拍照手機及MP3播放器等,市場競爭激烈,價格不斷下跌。隨著手機向高功能發(fā)展,對容量大、速度快的NAND閃存需求激增,NOR倍受打壓。
圖2 手機用戶NAND閃存將超過NOR閃存
據iSuppli公司報導,2005年第三季度,NAND閃存的出貨量已超過了DRAM,預計2006年NAND將取代NOR閃存,成為手機應用中最廣泛的嵌入式閃存,作為外部存儲解決方案。iSuppli還預測,2006年手機應用將超過數碼相機,成為移動閃存卡的主要市場。
全球DRAM生產在1995年達到最后一波高峰,計410億美元,但自此之后,DRAM產業(yè)即進入成熟期。業(yè)界稱,DRAM與NAND閃存產業(yè)具有“洞庭湖效應”(編者注:在三峽大壩建成之后,洞庭湖具備了調節(jié)水量的功能,長江水量增多,洞庭湖可以做到順利排洪的功能。),有相互調節(jié)產能之效。DRAM廠不再單純生產DRAM,而是生產DRAM、NAND、NOR等多個品種。原先一旦DRAM生產過剩,供大于求,價格隨之下跌,而現在NAND市場容量已大到足可調節(jié)DRAM廠的產能,所以今后中DRAM價格下降幅度可能會變小。
三星地位穩(wěn)固
業(yè)界人士稱,NAND不會重復DRAM走過的路子,因為DRAM大多供應PC及服務器應用,門路少,而NAND市場比較寬廣,從數碼相機到手機、MP3播放器以及存儲卡等。加之,NAND市場前景看好,今后幾年內的增長速度或將達到年年翻番的程度。預計2009~2010年間,NAND市場有可能超過DRAM。
NAND市場上公司競爭也很激烈,但由于三星公司生產量大,技術先進,一時間主導地位還難以撼動。
英特爾攻略
英特爾本是全球最大的NOR閃存供應商。但NOR閃存市場正緩慢萎縮,廠商營收下降,英特爾NOR事業(yè)去年也是零增長,利潤逐季下降。相反,NAND廠商增長迅速,獲利亮眼,因此有報道稱,英特爾將重組閃存事業(yè)。
當2003年iPod登場之際,Intel便開始研究NAND閃存的開發(fā)生產,有意插手NAND經營。2004年11月,美光公司NAND閃存業(yè)務與英特爾合資建立了專門生產NAND閃存芯片的IMFlash技術有限責任公司,其中英特爾占49%的股份,而美光占51%,2006年開始量產,今后兩家還將各投資12億美元現金,而蘋果公司則分別給預付每家2.5億美元的訂單。
目前IMFlash已有兩個工廠,一個8英寸,及一個12英寸。這兩個廠之前都是美光的NAND廠,未來三年可能再興建3個12英寸芯片廠,并會將目前的8英寸廠升級為12英寸。合資工廠中美光出工廠和技術,英特爾出錢。合資公司生產2Gb,4Gb和8Gb NAND,下一步為16Gb。IMFlash的閃存產品與三星的管腳兼容,4Gb和8Gb產品已被蘋果公司包銷。
英特爾除了在NAND方面與美光合作之外,在NOR閃存方面也意欲與意法半導體進行合作,據市場調查機構iSuppli估計,排名第一與第三大的英特爾與意法半導體合作,在全球NOR閃存市場的占有率可擴大到42.6%,從而打壓排名第2,市場占有率為25.8%的Spansion公司。
NAND以后
天有不測風云,從2006年2月下旬開始,蘋果公司的iPod銷售業(yè)績不再如前,增長趨緩,庫存增大,導致NAND閃存一直高聳的價格開始下降,大幅跌落近20%。
與此同時,業(yè)界又傳出Sony公司的PS3游戲機有舍NAND閃存而轉用微硬盤的打算。但從整個發(fā)展看,今后會有內嵌NAND閃存的HDD,所謂混合HDD,和基于NAND的SSD(Solid State Disk)兩種產品共存,HDD的優(yōu)點是容量大,價格便宜,SSD則是速度快和功耗小。隨著SSD價格的下降,據稱有取代HDD之勢,NAND發(fā)展會更快一些。
不過,作為不揮發(fā)存儲器本身也在繼續(xù)發(fā)展,不會只停留在閃存一種產品上。據報道,繼后還會有FeRAM(鐵電RAM)、MRAM(磁阻RAM)、PRAM(相變RAM)、RRAM(變阻RAM)、有機存儲器、分子存儲器、納米管存儲器等,不一而足。事物總是不斷發(fā)展的,我們應靜觀發(fā)展,隨機而決策。
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