UHF RFID標(biāo)簽芯片模擬射頻前端設(shè)計(jì)
2.5 調(diào)制電路
根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)要求采用反向散射的調(diào)制方法,通過(guò)改變芯片輸入阻抗來(lái)改變芯片與天線間的反射系數(shù),從而實(shí)現(xiàn)ASK調(diào)制。天線阻抗與芯片輸入阻抗在“0”狀態(tài)下共軛匹配,而在“1”狀態(tài)下存在一定失配。圖6為調(diào)制電路框圖,電容C1并聯(lián)在天線兩端,晶體管M1等效為一個(gè)開(kāi)關(guān),通過(guò)控制開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟,決定了電容是否接入芯片輸入端,從而改變了芯片的輸入阻抗,最終實(shí)現(xiàn)ASK調(diào)制。本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/157472.htm
2.6 時(shí)鐘產(chǎn)生電路
時(shí)鐘產(chǎn)生電路采用環(huán)形振蕩器電路,并加入電壓和溫度補(bǔ)償電路,保證在不同的工作電壓和溫度下,頻率偏移在規(guī)定的范圍(±1%)內(nèi),電路框圖如圖7所示。電壓補(bǔ)償主要依靠一個(gè)電壓基準(zhǔn)電路產(chǎn)生一個(gè)基準(zhǔn)電壓源,提供給五級(jí)環(huán)形振蕩器作為工作電壓,這樣就能保證在輸入電壓在O.9~1.1 V變化范圍內(nèi),最大頻偏能滿足要求。環(huán)形振蕩器的振蕩頻率呈正溫度系數(shù)特性,故需加入一個(gè)負(fù)溫度系數(shù)的補(bǔ)償電路,并優(yōu)化五級(jí)環(huán)形振蕩器的有源器件的寬長(zhǎng)比,使其溫度系數(shù)恰與自身的溫度系數(shù)互補(bǔ),使時(shí)鐘產(chǎn)生電路輸出頻率穩(wěn)定。
3 測(cè)試結(jié)果
基于Cadence Spectre設(shè)計(jì)仿真平臺(tái)和TSMC0.18μm CMOS混合信號(hào)工藝,對(duì)UHF RFID標(biāo)簽芯片模擬射頻前端進(jìn)行設(shè)計(jì)和仿真,并通過(guò)MPW項(xiàng)目流片實(shí)現(xiàn)。模擬射頻前端芯片不含測(cè)試焊盤(pán)的核心電路的芯片面積為490μm×420μm,圖8是芯片實(shí)物照片。
使用Agilent E4432B信號(hào)源對(duì)模擬射頻前端進(jìn)行激勵(lì),輸入載頻為915 MHz的ASK調(diào)制信號(hào)。圖9為整流電路輸出波形,并測(cè)得穩(wěn)壓電路高、低輸出電壓分別穩(wěn)定在1.O V和1.8 V。圖10解調(diào)電路的輸出波形,可看出該電路能正確解調(diào)40~160 kHz的ASK調(diào)制信號(hào)。圖11(a)是上電復(fù)位電路輸出波形,脈沖寬度大于30μs。時(shí)鐘產(chǎn)生電路輸出如圖11(b)所示,可看出波形近似方波且占空比約50%。使用AgilentN5230A矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀給芯片輸入頻率為915 MHz,功率-5 dBm的測(cè)試信號(hào),測(cè)得“O”和“1”兩種狀態(tài)下標(biāo)簽反射系數(shù)相差12%。
4 結(jié)語(yǔ)
這里設(shè)計(jì)了符合ISO18000-6C/B標(biāo)準(zhǔn)的UHFRFID無(wú)源標(biāo)簽芯片模擬射頻前端。模擬射頻前端包括整流器、穩(wěn)壓電路、調(diào)制解調(diào)器、時(shí)鐘電路和上電復(fù)位電路等模塊。采用TSMCO.18μm CMOS混合信號(hào)工藝設(shè)計(jì)、仿真、流片,其核心面積為490μm×420 μm。測(cè)試結(jié)果表明,該模擬射頻前端各模塊性能能夠較好地滿足UHF RFID標(biāo)簽芯片的系統(tǒng)指標(biāo)要求。
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評(píng)論