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半導(dǎo)體廠擴產(chǎn) 力成進補

作者: 時間:2013-08-08 來源:經(jīng)濟日報 收藏

  不讓韓國三星專美于前,日本大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元),于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器( Flash)新廠,導(dǎo)入最新16至17納米制程,使總產(chǎn)能提升20%,明年4月量產(chǎn),為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。

本文引用地址:http://m.butianyuan.cn/article/158799.htm

  這是三星在上月宣布調(diào)高今年資本支出后,東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定,因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。

  研究機構(gòu)統(tǒng)計,去年全球 Flash出貨量,三星居全球之冠,市占率37%;東芝排名第二,市占率31%。據(jù)了解,受惠日圓貶值,以及蘋果和大陸品牌下單量攀升,加上先前調(diào)節(jié)性減產(chǎn),讓東芝 Flash已無法滿足市場需求,決定7月起開始增產(chǎn)。

  稍早東芝表示,為確保NAND Flash次世代制程產(chǎn)品及3D存儲器的生產(chǎn)空間,將于旗下位于三重縣四日市第三座12寸NAND Flash廠「Fab 5」的第二期工程興建新廠,8月底動工興建,2014年夏天完工,但新廠工程的設(shè)備導(dǎo)入時間、量產(chǎn)時間、產(chǎn)能及生產(chǎn)計劃等細節(jié),將視市場動向決定。

  東芝的Fab 5第一期工程廠房由東芝投資興建,包括東芝和美商新帝(SanDisk)合資的NAND Flash生產(chǎn)線。隨著三星決定加碼擴產(chǎn),將今年資本支出上修至24兆韓元,其中13兆韓元用于強化DRAM、NAND Flash及邏輯IC競爭力,讓東芝和晟碟決定加快建廠腳步。



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